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FP25R12W2T4

制造商:Infineon

描述:IGBT模块

Datasheet:

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  • Huaqiu Chip
    Huaqiu Chip

器件参数

Function

  • 集电极电流
    39 A
  • 集电极发射极饱和电压
    1.85 V
  • 集电极-发射极电压
    1.2 kV
  • 集电极-发射极击穿电压
    1.2 kV
  • 功率耗散
    175 W

Physical

  • 引脚数
    23
  • 工作温度
    -40 °C, 150 °C
  • 安装方式
    Screw
  • 包装方式
    Bulk
  • 包装数量
    15
  • 制造商封装
    AG-EASY2B-1

Compliance

  • 无铅
    Lead Free
  • REACH SHVC Compliant
    No SVHC
库存量:0
预计交期:
数量
单价
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