VS-GT100TP60N

制造商：Vishay

描述：Igbt, Module, Dual N-Ch, 600V, 160A; Continuous Collector Current:160A; Collector Emitter Saturation Voltage:1.65V; Power Dissipation:417W; Operating Temperature Max:175°C; Igbt Termination:stud; Collector Emitter Voltage Max:600V Rohs Compliant: Yes

Datasheet：

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器件参数

Function

集电极电流

160 A
集电极截止电流

5 mA
集电极-发射极电压

2.1 V
集电极-发射极击穿电压

600 V
输入偏置电容

7.71 nF
输入

Standard
热敏电阻

No
晶体管类型

沟道
功率耗散

417 W

Physical

引脚数

7
安装方式

底座安装
制造商封装

Module

Compliance

无铅

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

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