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FGA5065ADF

制造商:ON Semiconductor

描述:IGBT TRENCH/FS 650V 100A TO3PN

Datasheet:

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器件参数

Function

  • 集电极电流
    100 A
  • 集电极-发射极电压
    2.2 V
  • 集电极-发射极击穿电压
    650 V
  • 栅极电荷
    72.2 nC
  • 晶体管类型
    Trench Field Stop
  • 反向恢复时间
    31.8 ns
  • 功率耗散
    268 W

Physical

  • 安装方式
    DIP
  • 包装方式
    Rail/Tube
  • 制造商封装
    TO-3PN

Compliance

  • 无铅
    无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • RoHS
    Yes
库存量:0
预计交期:
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单价
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