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IR2125STRPBF

制造商:Infineon

描述:IC GATE DRVR HIGH-SIDE 16SOIC

Datasheet:

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    Huaqiu Chip

器件参数

Function

  • 驱动配置
    高边
  • 驱动器数量
    1
  • 通道类型
    Single
  • 输出端数量
    1
  • 输出电流
    1 A, 3.3 A
  • 输出电压
    18 V
  • 负载类型
    MOSFET;IGBT
  • 类型
    IGBT, N通道 MOSFET
  • 电源电压(Min)
    0 V
  • 电源电压(Max)
    18 V
  • 电压(Min)
    0 V
  • 电压(Max)
    18 V
  • 接通延迟时间
    170 ns
  • 拓扑结构
    High Side (Single)
  • 峰值脉冲电流
    1.6 A, 3.3 A
  • 功率耗散
    1.25 W
  • 关闭延迟时间
    200 ns
  • 供电电流
    1.2 mA
  • 传播延迟
    270 ns
  • 下降时间
    26 ns
  • 上升时间
    43 ns

Physical

  • 抗辐射加固
    No
  • 引脚数
    16
  • 工作温度@Tj
    150 °C
  • 工作温度(Min)
    -40 °C
  • 工作温度(Max)
    150 °C
  • 安装方式
    Surface Mount
  • 包装方式
    Tape and Reel
  • 包装数量
    1
  • 制造商封装
    SOP-16-300mil

Compliance

  • 无铅
    Lead Free
  • RoHS
    yes
库存量:0
预计交期:
数量
单价
总价(阶梯最低数量总价)

EDA模型
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原理图符号
封装
3D模型

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