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FGB3440G2-F085

制造商:ON Semiconductor

描述:IGBT 400 V 26.9 A 166 W Surface Mount D?PAK (TO-263)

Datasheet:

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器件参数

Function

  • 集电极电流
    26.9 A
  • 集电极发射极饱和电压
    1.2 V
  • 集电极-发射极击穿电压
    400 V
  • 栅极电荷
    24 nC
  • 功率耗散
    166 W

Physical

  • 工作温度@Tj
    175 °C
  • 工作温度(Min)
    -40 °C
  • 工作温度(Max)
    175 °C
  • 安装方式
    SMT
  • 制造商封装
    TO-263AB

Compliance

  • RoHS
    Yes
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