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FGD3050G2V

制造商:ON Semiconductor

描述:IGBT 500 V 32 A 150 W Surface Mount DPAK

Datasheet:

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器件参数

Function

  • 集电极电流
    32 A
  • 集电极-发射极击穿电压
    500 V
  • 栅极电荷
    22 nC
  • 功率耗散
    150 W

Physical

  • 工作温度@Tj
    175 °C
  • 工作温度(Min)
    40 °C
  • 工作温度(Max)
    175 °C
  • 制造商封装
    TO-252

Compliance

  • RoHS
    Yes
库存量:0
预计交期:
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封装
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