HGTG27N120BN

制造商：ON Semiconductor

描述：Igbt, N 72A, 1200V To-247; Continuous Collector Current:72A; Collector Emitter Saturation Voltage:2.45V; Power Dissipation:500W; Collector Emitter Voltage Max:1.2Kv; No. Of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-Rohs Compliant: Yes

Datasheet：

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器件参数

Function

额定电流

72 A
额定电压

1.2 V, 1.2 kV
集电极电流

72 A
集电极发射极饱和电压

2.45 V
集电极-发射极电压

1.2 kV
集电极-发射极击穿电压

1.2 kV
配置

Single
栅极电荷

270 nC
晶体管类型

NPT
接通延迟时间

24 ns
功率耗散

500 W
关闭延迟时间

240 ns

Physical

重量

0.225401 oz
抗辐射加固

No
引脚数

3
工作温度

-55 °C, 150 °C
安装方式

Through Hole
包装方式

Rail/Tube
包装数量

150
制造商封装

TO-247-3

Compliance

无铅

Lead Free
REACH SHVC Compliant

No SVHC

Dimension

高度

20.82 mm
长度

15.87 mm
宽度

4.82 mm

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