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Diodes

DMG4413LSS-13

MOSFET P-CH 30V 10.5A 8SOP

数据手册下载立即订购

DMG4413LSS-13 器件参数

Function

配置

Single
连续漏极电流

10.5 A
输入偏置电容@15V

4.965 nF
类型

P沟道
漏源电阻

6.3 mΩ
漏源电压

30 V
漏源极击穿电压

-30 V
漏源导通电阻@10V,13A

7.5 mΩ
漏源导通电阻

7.5 mΩ
栅源电压

20 V
栅源极阈值电压@250uA

2.1 V
栅极电荷@5V

46 nC
晶体管类型

P沟道
接通延迟时间

15 ns
功率耗散

1.7 W
关闭延迟时间

160 ns
元件数量

1
下降时间

66 ns
上升时间

9 ns

Physical

重量

0.030018 oz
端子间距

1.27 mm
抗辐射加固

No
引脚数

8
工作温度@Tj

150 °C
工作温度(Min)

-55 °C
工作温度(Max)

150 °C
安装方式

Surface Mount
包装方式

Tape and Reel
制造商封装

SO-8

Compliance

无铅

Lead Free

Dimension

高度

1.5 mm
长度

4.95 mm
宽度

3.95 mm

DMG4413LSS-13 EDA模型

原理图符号

封装

3D模型

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DMG4413LSS-13 数据手册

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1年前

Element14
Datasheet

DMG4413LSS-13

1年前

Huaqiu Chip

DMG4413LSS-13 图片

Digikey
Element14
Huaqiu Chip

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