QSE113

制造商：ON Semiconductor

描述：SENSOR PHOTO 880NM SIDE VIEW RAD

Datasheet：

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器件参数

Function

额定电流

5 mA
额定电压

30 V, 5 V
额定功率

100 mW
集电极电流

5 mA
集电极-发射极电压

30 V
集电极-发射极击穿电压

30 V
通道数量

1
输出电压

30 V
输出功率

100 mW
电源电压

5 V
波长

880 nm
极性

NPN
暗电流

100 nA
晶体管类型

NPN
峰值波长

880 nm
功率耗散

100 mW
功率消耗

100 mW
击穿电压

30 V
元件数量

1
下降时间

8 ?s
上升时间

8 ?s

Physical

镜头样式

Domed
重量

0.004762 oz
方向

Side View
抗辐射加固

No
引脚数

2
工作温度(Min)

-40 °C
工作温度(Max)

100 °C
工作温度

100 °C
安装方式

Through Hole
可视角度

25 ?
包装方式

Bulk
包装数量

500
制造商封装

插件,L=4.4mm

Compliance

无铅

Lead Free
RoHS

Pb-free
REACH SHVC Compliant

No SVHC

Dimension

高度

5.08 mm
长度

4.44 mm
引脚长度

12.7 mm
宽度

2.54 mm

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