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RGT50NS65DGTL

制造商:Rohm

描述:IGBT

Datasheet:

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    Huaqiu Chip
  • Element14
    Element14

器件参数

Function

  • 集电极电流
    48 A
  • 集电极发射极饱和电压
    2.1 V
  • 集电极-发射极击穿电压
    650 V
  • 类型
    沟槽场截止
  • 栅极电荷
    49 nC
  • 晶体管类型
    Trench Field Stop
  • 反向恢复时间
    58 ns
  • 功率耗散
    194 W

Physical

  • 工作温度@Tj
    175 °C
  • 工作温度(Min)
    -40 °C
  • 工作温度(Max)
    175 °C
  • 安装方式
    SMT
  • 制造商封装
    TO-263

Compliance

  • 无铅
    Y
库存量:0
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