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替代物料
RGT50NS65DGTL
制造商:Rohm
描述:IGBT
Datasheet:
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器件参数
Function
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集电极电流
48 A
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集电极发射极饱和电压
2.1 V
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集电极-发射极击穿电压
650 V
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类型
沟槽场截止
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栅极电荷
49 nC
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晶体管类型
Trench Field Stop
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反向恢复时间
58 ns
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功率耗散
194 W
Physical
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工作温度@Tj
175 °C
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工作温度(Min)
-40 °C
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工作温度(Max)
175 °C
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安装方式
SMT
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制造商封装
TO-263