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AFGHL50T65SQDC

制造商:ON Semiconductor

描述:IGBT 650V A

Datasheet:

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器件参数

Function

  • 集电极电流
    100 A
  • 集电极发射极饱和电压
    2.1 V
  • 集电极-发射极击穿电压
    650 V
  • 栅极电荷
    94 nC
  • 晶体管类型
    Field Stop

Physical

  • 安装方式
    DIP
  • 制造商封装
    TO-247-3L

Compliance

  • 无铅
    Y
  • RoHS
    Yes
库存量:0
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