NGB8207ABNT4G

制造商：ON Semiconductor

描述：Ignition IGBT, 20 A, 365 V, N-Channel, 3-Pin D2PAK, Pb-Free, Tape and Reel

Datasheet：

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器件参数

Function

集电极电流

20 A
集电极-发射极电压

365 V
集电极-发射极击穿电压

365 V
配置

Single
功率耗散

165 W
击穿电压

365 V

Physical

抗辐射加固

No
工作温度

-55 °C, 175 °C
安装方式

SMT
包装方式

Tape and Reel
包装数量

800
制造商封装

D2PAK

Compliance

无铅

Lead Free
无卤素

Halogen Free

Dimension

高度

4.83 mm
长度

10.29 mm
宽度

9.65 mm

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