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立年电子科技

射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

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C3D06065E分立碳化硅肖特基二极管

型号： C3D06065E

--- 产品参数 ---

  • 重复峰值反向电压 650V
  • 浪涌峰值反向电压 650V
  • 直流阻断电压 650V
  • 重复峰值正向浪涌电流 28-19A
  • 非重复峰值正向浪涌电 63-49A
  • 功耗 100-43W
  • 工作结温和存储温度 -55to+175?C

--- 产品详情 ---

C3D06065E为650 V 分立碳化硅肖特基二极管。第 6 代 650 V、6 A 碳化硅肖特基二极管。具有碳化硅 (SiC) 的性能优势肖特基势垒二极管，电力电子系统可以期待满足比硅基解决方案更高的效率标准，同时还达到更高的频率和功率密度。SiC二极管可轻松并联以满足各种应用要求，而不用担心热失控。 结合
降低冷却要求并改善热SiC产品的性能，SiC二极管能够提供在各种不同的应用中降低整体系统成本。

C3D06065E


好处
? 用单极整流器代替双极
? 基本上没有开关损耗
? 更高的效率
? 降低散热器要求
? 没有热失控的并行器件


特征
? 650 伏肖特基整流器
? 零反向恢复电流
? 零正向恢复电压
? 高频操作
? 与温度无关的开关行为
? 极快的切换
? VF 上的正温度系数


应用
? 开关模式电源 (SMPS)
? PFC 或 DC/DC 级中的升压二极管
? 逆变器级中的续流二极管
? AC/DC 转换器


重复峰值反向电压:650V
浪涌峰值反向电压：650V
直流阻断电压：650V
重复峰值正向浪涌电流：28-19A
非重复峰值正向浪涌电流:63-49A
功耗：100-43W
工作结温和存储温度:-55to+175?C

 

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