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FED的发展历史
场发射电极理论最早是在1928年由R. H. Fowler与L. W. Nordheim共同提出。不过，真正以半导体技术研发出场发射电极组件，开启运用场发射电子作为显示器主要技术，却是在1968年由C. A. Spindt提出后，才吸引后续众多研发者的投入。但是，一直到1991年以前，场发射电极的应用却一直没有太大进展。直到法国LETI CENG公司在1991年第四届国际真空微电子会议上展出了一款运用场发射电极技术制成的显示器成品后，这种技术才真正被世人注意，并吸引了众多大公司的投入，也从此让FED加入平面显示器的竞争行列，成为TFT-LCD、PDP等大型化显示技术的竞争对手。

FED的技术原理
场致电子发射又称为冷电子发射，只需要在阴极表面加一个强电场，不需要任何附加的能量，就能使阴极内的电子具有足够的能量从表面逸出。它的一个重要应用就是场致电子发射显示器即FED（field emission display, FED）。
其工作原理是使用电场自发射阴极（cathode emitter）材料的尖端放出电子来轰击屏幕上的荧光粉，启动荧光粉而发光，有点类似CRT的工作原理，但不同的是CRT在显像管内部有三个电子枪，为了使电子束获得足够的偏离还不得不把显像管做得必须有一段距离长，因此CRT显示器又大又厚又重。而FED在每一个荧光点后面不到3mm处都放置了成千上万个极小的电子发射器，同时用场发射技术作为电子来源以取代传统CRT显像管中的热电子枪，由于不是使用热能，使得场发射电子束的能量分布范围较传统热电子束窄而且具有较高亮度，因而可以用于平面显示器并带来了很多优秀特色。

FED的产品优点
FED显示技术把CRT阴极射线管的明亮清晰与液晶显示的轻、薄结合起来，结果是具有液晶显示器的厚度、CRT显示器般快速的响应速度和比液晶显示器大得多的亮度。因此，FED显示器将在很多方面具有比液晶显示器更显著的优点：更高的亮度可以在阳光下轻松地阅读；高速的响应速度使得它能适应诸如游戏电影等快速更新画面的场合；内置的千万冗余电子发射器让其表面比液晶显示器更凹凸不平，视角更宽广，面板的结构相对简单，而且发射器的数量大大过剩，使合格率更高。即使十分之一的发射器失效，亮度的损失也可以忽略。
产品缺点
这种技术需要的电量很大，很难被应用于携带型设备。它们比最初设想的更难制造。而且它们在尺寸方面有限制：到目前为止被展示过的最大的显示器是15寸的。也导致了目前FED尚处于实验室阶段，大规模市场应用尚需时日。

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