[组图]什么是PN结及半导体基础知识

在我们的日常生活中，经常看到或用到各种各样的物体，它们的性质是各不相同的。有些物体，如钢、银、铝、铁等，具有良好的导电性能，我们称它们为导体。相反，有些物体如玻璃、橡皮和塑料等不易导电，我们称它们为绝缘休(或非导体)。还有一些物体，如锗、硅、砷化稼及大多数的金属氧化物和金属硫化物，它们既不象导体那样容易导屯，也不象绝缘体那样不易导电，而是介于导体和绝缘体之间，我们把它们叫做半导体。绝大多数半导体都是晶体，它们内部的原子都按照一定的规律排列着。因此，人们往往又把半导体材料称为晶体，这也就是晶体管名称的由来(意思是用晶体材料做的管子)。

物体的导电性能常用电阻率来表示。所谓电阻率，就是某种物体单位长度及单位截面积的体积内的电阻值。电阻率越小，越容易导电；反之，电阻率越大，越难导电。

导体、绝缘体的电阻率值随温度的影响而变化很小。但温度变化时，半导体的电阻率变化却很激烈；每升高1℃，它的电阻率下降达百分之几到百分之几十。不仅如此，当温度较高时，整体电阻甚至下降到很小，以致变成和导体一样。

在金属或绝缘体中，如果杂质含量不超过干分之一，它的电阻率变化是微不足道的。但半导体中含有杂质时对它的影响却很大。以锗为例，只要含杂质一千万分之一，电阻率就下降到原来的十六分之一。

锗是典型的半导体元素，是制造晶体管的一种常用材料（注：当前的半导体元器件生产以硅Silicon材料为主）。现以锗为例来说明如何会在半导体内产生电流、整流性能和放大性能

。

我们知道，世界上的任何物质都是由原了构成的。原子中间都有一个原子核和者围绕原子核不停地旋转酌电子。不同元素的原子所包含的电子数目是不同的。蔗原子的原子核周围有32个电子，围绕着原子核运动。原子核带有正电荷．电子带有负电荷；正电荷的数量刚好和全部电子的负电荷数量相等，所以在平时锗原子是中性的。

电子围绕原子核运动，和地球围绕太阳远行相似。在核的引力作用下，电子分成几层按完全确定的轨道运行，而且各层所能容纳的电子数日也有一定规律。如图所示：在锗原子核周围的32个电子组成四层环，围绕原子核运动。从里往外数，第一层环上有2个电子，其余依次为8、18、4个电子。凡是环上的电子数为2、8、18时．这些环上的电子总是比较稳定的。若环上的电子数不等于以上各数时，这些环上的电子总是不太稳定。

因此，锗原子结构中，第一、二、三层的电于是稳定的，只有第四层(即最外一“层)的4个电于是不稳定的。因最外一层的电子没有填满到规定的数目。我们把最外一层的电子叫做价电子。一般来说，最外层有几个价电子，其原子价就为几。锗的最外层有4个价电子，所以锗的原子价为4。

受外界作用，环上的电子可以克服原子核的吸引力而脱离原子，自由活动成为自由电子。这些自由电子在电场力的作用下，产生空间运动，就形成了电流。可以想像，由于最外层的价电子离核比较远，所受引力最小，所以最容易受外界影响而形成自由电子。因此，从导电性能看，价电子是很重要的。我们所说的锗元素就是依靠它最外层的4个价电子进行导电的。

锗晶体内的原子很整齐的排列着。各个原子间有相互排斥的力量，而每个原子除了吸引自己的价电子外，还吸引相邻原子的价电子。因此，两个相邻原子的价电子便成对地存在。这一对电子同时受这两个原子核的吸引，为它们所“共有”。这两个相邻原子也通过这个电子对被联系在一起。这样，电子对就好像起了键(联结)的作用，我们叫它共价键。每一个锗原子以其4个价电子与其他4个锗原子的价电子组成4个共价键而达到稳定状态。

在理想情况下，锗晶体中所有的价电子都织成了电子对，因此没有自由电子，这时锗晶体是不易导电的。

但在外力作用下，如受温度变化，其中可能会有一个价电子脱离键的束缚，挣脱共价键而跳出来，成为自由电子。这时共价键中出现了一个空位，我们把这个空位叫做空穴。由于原子本身正电荷和负电荷相等，故原子失去了电子后，整个原子就带正电荷，称为正离子。正离子容易吸引相邻原子的价电子来填补，电子离开后所留下的空位，使相邻原子中又出现空穴，而这个新出现的空穴，又可能为别的电子去填充。电子这样不断地填充空穴，就使空穴的位置不断地在原子问转移。空穴的转移，实际上也是电子(电荷)的运动，所以也就形成电流，这叫做空穴流。而原来失去的屯子，在晶体中运动，形成了电子流。为了便于叙述，今后就认为空穴在运动，而且把它当作一个正电荷来看(实际上是空穴所在的原子呈现一个单位正电荷的电量)。由于空穴和电子都带有电荷，它们的运动都形成电流，所以就统称它们为载流子。

一块不含有杂质的、品格完整的半导体叫做本征半导体。因为它品格完整，如果有一个电子从共价键中释放出来，必定留下一个空众。所以本征半导体中电子和空众总是成对地出现，它们的数日相等，称为电子一空穴对。在常温下，由于热运动的结果，在本征半导体中会产生一定数量的电子一空穴对，形成电子流和空穴流，总的电流是两者之和。如没有外界电场作用，电子和空穴的这种运动是杂乱无章的，电子流和空穴流方向也是不定的，结果互相抵消，没有净电流出现。但在电场作用下，这种半导体两端就出现电压，电子向正端方向运动，空穴向负端方向运动，形成了定向电流，半导体内就产生电流了。本征半导体因电场作用而产生的导电现象就叫本征导电。

通常，我们很少见到本征半导体，大多遇到的都是P型半导体或N型半导体。

前面说过，半导体中加进了杂质，电阻率就大大降低。这是因为加进杂质后，空穴和电子的数目会大大增加。例如，在锗晶休中掺入很少一点三价元素铟，由于铟的价电子只有三个，渗入锗晶体后，它的三个价电子分别和相邻的三个锗原子的价电子组成共价键，而对相邻的第四个锗原子，它没有电于拿出来和这个锗原子“共有”了，这就留下了一个空穴(见图1一3(c))。因为掺入了少量的杂质铟，就会出现很多空穴；这是因为即使是少量的，里面含有的原子数目却不少。杂质半导体中空穴和电子数目不相等，在电场作用下，空穴导电是主要的，所以叫空穴型半导体或者说是P型半导体。换句话说，P型或空穴型半导体内是有剩余空穴的，掺入的杂质提供了剩余空穴。在P型半导体中，空穴是多数，所以称空穴为多数载流子；电子数目少，就叫少数裁流子。渗入的杂质能产生空穴接受电子，我们叫这种杂质为受主杂质。

如果把五价元素砷掺入锗晶体中，砷原子中有5个价电于，它和四个锗原子的价电子组成共价键后，留下一个剩余电子，这个剩余电子就在晶体中到处游荡，在外电场作用下形成定向电子流。掺入少量的砷杂质就会产生大量的剩余电子，所以称这种半导体为电子型半导体或N型半导体。在这种半导体中有剩余电子，这时电子是多数载流子，而空穴是少数载流子。因为砷是施给剩余电子的杂质，所以叫做施主杂质。

如果没有外电场的作用，不论N型或P型半导体，它们的载流子运动是无规则的，因此，不会形成电流

。

把一块P型半导休和N型半导体紧密联接在一起时(实际上只能用化学方法将两个原来独立的锗片合在一起)．就会发现一个奇怪的现象，即在它们的两端加上适当的电压时，会产生单向导电观象。因为这时在它们的交界面上形成了一个所谓P—N结的结构，单向导电现象就发生在这一薄薄的P—N结中。P—N结是晶体管的基础，它是由扩散形成的。

我们知道，P型半导体内空穴是多数载流子，即空穴的浓度大；而N型半导体内电子是多数载流予，电子的浓度大。二者接触之后，由于在P型区和N型区内电子浓度不同，N型区的电子多，就向P型区扩散，扩散的结果如图1—4(b)所示。N型区薄层I中部分电子扩散到P型区去，薄层I便因失去电于而带正电。另一方面，P型区的空穴多，也会向空穴浓度小的N型区扩散，结果一部分空穴从薄层I向P(型区扩散，使薄层Ⅱ带负电。

电于和空穴的扩散是同时进行的，总的结果，P型区薄层Ⅱ流走了空灾，流进了电子，所以带负电，而N型区的薄层I流走了电子，流进了空穴，因而带正电，而且随着扩散现象的继续进行，薄层逐渐变厚，所带的电量也逐渐增加。不过，这种扩散现象不会无休止的进行下去；当扩散进行到一定程度后，薄层Ⅱ带了很多负电，从N型区向P型区扩散的电子总数因电子受到它的排斥不再继续增加；同样道理，从P型区向N型区扩散的空灾总数也不再增加。于是扩散似乎不再继续，而达到所谓“动态平衡状态”。这时P—N结也就形成了。

所谓P—N结，就是指薄层I和Ⅱ所构成的带电结构。因为它能阻止电子和空穴的继续扩散，所以也叫阻挡层。它们之间的电位差一般称势垒或位垒。

我们用图来阐明P—N结的单向导电性能。依照图示方法，将P型区接电池正极，N型区接负极。向右调动电位器，使加到P—N结构端的电压逐颓增高，就会发现：当电压表读数增高时，电流表的读数也随之增大。此时，P—N结的电阻很小，这种接法叫正向联结。

若反过来，把P型区接电池负极，而N型区接正极，这时我们会发现：把电压增高到几十伏，电流的指示只有几个或几十个微安，此时P—N结的电阻很大，反向电流很快就达到饱和不再增加了。这说明电流只能沿着一个方向流过P—N结，这个现象就叫做单向导电。

单向导电现象可以这样来解释；因为在P型区接电池正极而N型区接负极时，外加电压的方向刚好和P—N结势垒电压的方向相反，使薄层Ⅱ带的负电量和薄层I带的正电量减少，因此削弱了P—N结的势垒，于是在正电压的作用下，电子和空穴的扩散又可进行，N型区的电子不断跑到P型区，P型区的空穴也不断跑到N型区，正向电流也就产生了。而且，正向电压加得越高，P—N结势垒削弱得越厉害，扩散也就越容易进行，正向电流也就越大。

当P—N结和电池反向连接时，外加电压起着增强P—N结势垒的作用，使薄层Ⅱ带的负电荷和薄层I带的正电荷增加，扩散更无法进行。这时只有P型区的少数教流子一电子和N型区的少数我流子一空穴，受外加电压作用形成微弱的反向电流。而少数栽流子的数目不多，所以在反向电压只有零点几伏时，反向电流就达到饱和了。

P—N结还有一个十分重耍的特性，即所谓反向击穿电压。当所加反向电压大到一定数值时，P—N结电阻会突然变得很小，反向电流会骤然增大，而且是无限地增大。这种现象叫P—N结的反向击穿。开始击穿时的电压数值叫反向击穿电压。它直接限制了P—N结用做整流和检波时的工作电压。

总之，一个简单的P—N结具有单向导电的特性，半导体收音机正是利用这一特性来进行整流和检波的。半导体二极管就是根据这一原理制成的。

阅读全文

基础知识(26193) 基础知识(26193)

PN结反向偏置时，随着反向电压的增加，势垒电容是增加还是减少？

PN结反向偏置时，随着反向电压的增加，势垒电容是增加还是减少？ PN结是由N型半导体和P型半导体组成的。当PN结处于正向偏置时，电子从N型半导体流入P型半导体，而空穴从P型半导体流入N型半导体。当

2023-10-19 16:53:17

为什么加正向电压PN结变薄,加反向会变厚呢？

为什么加正向电压PN结变薄,加反向会变厚呢？ PN结是半导体器件中最基本和最常用的一种器件，具有正向导通和反向截止的特性。如果将PN结的两端施加正向电压，电子从N型区流向P型区，空穴从P型区流向N型

2023-10-19 16:42:52

pn结的电容效应为什么在pn结间加入i层可以减小结电容？

pn结的电容效应为什么在pn结间加入i层可以减小结电容？ PN结是一种半导体器件，其中P型半导体和N型半导体间由弱耗尽区隔离。这种器件有许多应用，例如光电探测器、太阳能电池、场效应晶体管和整流器等

2023-10-19 16:42:49

PN结如何形成 PN结伏安特性的解释 MOSFET基础知识

当n型半导体与p型半导体接触时，电子与空穴都从浓度高处向浓度低处扩散，称为扩散运动。当电子进入p型区域，空穴进入n型区域后，即与对方多子复合，留下了固定不动的原子核。这些原子核形成了一个内建电场，使

2023-10-19 14:16:45

213

PN结的雪崩击穿和齐纳击穿在温度升高时击穿电压变化方向相反？

为什么PN结的雪崩击穿和齐纳击穿在温度升高的情况下，击穿电压变化方向相反？? PN结是半导体器件中最基本的组成部件之一，广泛应用于电力、电信、信息处理等领域。PN结的雪崩击穿和齐纳击穿是PN结失效

2023-09-21 16:09:51

379

PN结的反向击穿有哪几种形式？

PN结的反向击穿有哪几种形式？? PN结（即正负电极结）是半导体器件的基础结构之一，它是由p型半导体和n型半导体直接接触组成的简单晶体管结构。PN结的一个重要特性是反向击穿，它指的是当PN结处于反向

2023-09-21 16:09:47

289

什么是PN结的导通电压？

什么是PN结的导通电压？? PN结是半导体器件中最常见的元器件之一，它将p型半导体和n型半导体的材料在一起，通过电场使它们连接在一起，并形成一个电子流的管道。在其中，导通电压是PN结的一个重要参数

2023-09-13 15:09:29

761

为什么pn结击穿电压随掺杂浓度升高而降低？

为什么pn结击穿电压随掺杂浓度升高而降低？ PN结是半导体器件中重要的一种，它是由掺有不同的杂质形成的结构而成。在PN结中，P层和N层之间形成了一个电势垒，这个电势垒可以阻止电流的自由流动。而当PN

2023-09-13 15:09:23

934

pn结是怎么形成的？有哪些基本特性？

pn结是怎么形成的？有哪些基本特性 PN结是半导体器件中最基本的元器件之一，它的存在使得晶体管、二极管、光电池等半导体器件得以实现。PN结是由n型半导体和p型半导体通过特定工艺加工、热扩散或离子注入

2023-09-13 15:09:20

626

简述pn结的三种击穿机理

简述pn结的三种击穿机理? PN结是半导体器件中最常见的结构之一，它由P型半导体和N型半导体材料组成。在正向偏压下，PN结会工作在正常的导电状态，而在反向偏压下，PN结则会发生击穿现象，这是PN结

2023-09-13 15:09:18

718

什么是PN结？

半导体可以掺杂其他材料，变成p型或n型。pn结二极管可以是正向偏置或反向偏置。led是产生光子的正向偏压二极管。太阳能电池是吸收光子的pn结，给电子足够的能量进入导带。

2023-06-30 09:51:36

1131

PN结的基础知识

当沿结的 P 型电荷密度被带着负电的 NA 填充，沿结的 N 型电荷密度变为正电荷，这个过程来回继续的时候，当穿过结的电子数量更多的电荷排斥并阻止任何更多的电荷流子穿过结，终，当施主原子排斥空穴而受体原子排斥电子时，将出现平衡状态（电中性情况），在结区域周围产生“势垒”区域。

2023-06-24 09:30:00

314

动图看PN结的形成原理

关于二极管的原理来自于PN结，下图为本征半导体。

2023-05-29 10:31:13

489

半导体激光器的分类

1 同质结半导体激光器 PN结由同一种半导体材料构成，P区、N区具有相同的带隙、接近相同的折射率，如图6示图6 同质结同质结半导体激光器是一种不理想的光源，主要表现在：阈值电流高、损耗大、不同在

2023-05-06 07:16:17

793

常用半导体手册

，掌握它们的特性和参数。本章从讨论半导体的导电特性和PN 结的单向导电性开始，分别介绍二极管、双极型晶体管、绝缘栅场效应晶体管和半导体光电器件等常用的半导体元器件。喜欢的顶一顶，介绍的非常详细哦。。。。[此贴子已经被作者于2008-5-24 11:05:21编辑过]

2008-05-24 10:29:38

可控硅的基础知识

　　大家好，今天我们来学习可控硅的基础知识。之前我们在讲三极管时说过，三极管是由三层半导体材料组成的，有两个PN结。

2022-11-11 17:29:37

2696

半导体物理与器件：PN结的零偏#半导体

半导体

学习电子发布于 2022-11-10 14:31:51

半导体物理与器件：PN结的反偏#半导体

半导体

学习电子发布于 2022-11-10 14:31:21

半导体物理与器件：PN结基本结构#半导体

半导体

学习电子发布于 2022-11-10 14:30:51

半导体技术知识：平衡PN结的能带图#半导体

半导体技术

学习电子发布于 2022-11-10 12:28:39

#硬声创作季 #半导体器件微电子器件-02.07.02 非平衡态PN结能带图

IC设计电子器件PN结pn结原理半导体器件

水管工发布于 2022-10-17 17:22:19

PN结的基础知识

为啥说PN结是基础呢?

2022-09-15 10:22:00

2431

半导体器件基础知识

半导体器件基础知识课件下载

2022-07-11 10:00:12

PN结相关知识解析

如图2-1，将一块P型半导体与N型半导体相结合后，构成PN结。P区与N区两块半导体之间形成了空间电荷区。(空间电荷区又称阻挡层、耗尽层、势垒区)

2022-07-05 10:29:06

6802

半导体的主宰，PN结如何形成？结电压能测出来吗#跟着UP主一起创作吧

元器件PN结pn结原理

李皆宁讲电子发布于 2022-04-27 22:37:36

PN结的基本原理及教程

2022-01-04 09:32:02

构成#半导体器件的基础—PN结#电子技术

半导体PN结pn结原理

番茄君发布于 2021-07-15 19:14:47

半导体器件基础知识课件PPT下载

半导体器件基础知识课件PPT下载

2021-07-06 10:14:34

103

半导体电子器件基础知识汇总

半导体电子器件基础知识汇总

2021-04-28 09:55:58

210

《涨知识啦17》论PN结的热效应

《涨知识啦17》---PN结的热效应在前面的PN结系列中我们提到过理想PN结的I-V曲线可用如下数学式表达，本周《涨知识啦》将继续给大家介绍PN结系列一些基础知识PN结的热效应。 PN结的正向电压

2020-07-07 10:31:17

2233

二极管PN结是如何形成的，它的工作原理如何

什么是PN结？PN结是构成二极管、三极管及可控硅等许多半导体器件的基础。

2020-03-25 15:37:55

25170

PN结加正向电压及PN结电导调制作用

同一个半导体一头做成P型半导体，一头做成N型半导体，就会在两种半导体的交界面处形成一个特殊的接触面则成为PN结。P结种空穴多点在少，N结种电子多空穴少。

2019-09-04 09:41:18

19689

半导体二极管及基本电路的详细资料概述

本文档的详细介绍的是二极管单向导电性和半导体的介绍及基本电路的详细资料概述主要内容包括了：1.二极管单向导电性，2.半导体的基本知识（半导体材料，半导体的共价键结构，本征半导体，杂质半导体）3.PN

2019-01-25 08:00:00

pn结的形成原理

在杂质半导体中，正负电荷数是相等的，它们的作用相互抵消，因此保持电中性。本视频主要详细阐述了pn结的形成原理，载流子的浓度差产生的多子的扩散运动、电子和空穴的复合形成了空间电荷区以及空间电荷区产生的内电场E又阻止多子的扩散运动。

2018-10-27 11:18:46

81262

PN结的形成及PN结工作原理图 PN结及其单向导电性

的 PN 结, 因此,掌握 PN 结的基本原理十分重要。1. PN 结的形成如果一块半导体的两部分分别掺杂形成 P 型半导体和 N 型半导体, 在它们的交界面处就形成了 PN 结。交界面处存在载流子浓度

2018-10-23 15:14:32

54925

pn结的形成过程

本文首先介绍了P型半导体和N型半导体，其次介绍了pn结的形成，最后详细的阐述了pn结的形成原理。

2018-09-06 18:20:45

43135

pn结工作原理

pn结工作原理就是如果将PN结加正向电压，即P区接正极，N区接负极，如右图所示。由于外加电压的电场方向和PN结内电场方向相反。在外电场的作用下，内电场将会被削弱，使得阻挡层变窄，扩散运动因此增强

2018-09-06 18:14:30

162655

pn结的基本特性是什么

本文主要详细阐述了pn结的基本特性是什么，其次介绍了PN结的击穿特性、PN结的单向导电性以及PN结的电容特性。

2018-09-06 18:09:11

101976

半导体元件基础知识概述

本文主要介绍了半导体元件基础知识.

2018-06-25 13:00:00

什么是pn结的电容效应

PN结的电容效应限制了二极管三极管的最高工作效率，PN结的电容效应将导致反向时交流信号可以部分通过PN结，频率越高则通过越多。

2018-01-22 09:05:46

42792

半导体的导电机制及其基础知识介绍

半导体基础知识：根据物体导电能力（电阻率）的不同，来划分导体、绝缘体和半导体。典型的半导体有硅Si和锗Ge以及砷化镓GaAs等。半导体有温敏、光敏和掺杂等导电特性。

2017-11-23 14:13:03

PN结的形成、单向导电性和电容效应等知识的解析

本文介绍了PN结的形成及特性，相关内容包括载流子的漂移与扩散、PN结的形成、PN结的单向导电性、PN结的反向击穿和PN结的电容效应。漂移运动：在电场作用引起的载流子的运动称为漂移运动。扩散运动：由载流子浓度差引起的载流子的运动称为扩散运动。 PN结的形成:

2017-11-23 11:37:08

半导体激光器相关知识详解及异质结发光二极管的介绍

本文简要介绍了固体物理的概念、pn结合异质结等半导体激光器相关知识的详析。

2017-11-18 13:03:46

PN结物理特性的测量

伏安特性是PN 结的基本特性，测量PN 结的扩散电流与PN 结电压之间的关系，可以验证它们遵守波尔兹曼分布，并进而求出波尔兹曼常数的值．PN 结的扩散电流很小，为10-6～10-8

2010-07-17 10:00:51

pn结静电特性

1．正偏p-n结的能带(P+,N-)2．正偏时载流子的运动和电流成分 3．正偏下的电流密度 4．反偏时的p-n结(P－,N＋) 6. 理想pn结模型四、pn结电容低频，pn结有整流作用；高

2010-07-17 08:58:10

PN结物理特性的测量

图一 PN结物理特性的测量实验装置全图伏安特性是PN结的基本特性，测量PN结的扩散电流与PN结电压之间的关系，可以验证它们遵守波尔兹曼分布，并进而求出波尔兹曼常数

2010-07-17 08:49:47

PN结的形成及应用电路

PN结的形成及应用电路 1．ＰＮ结的形成

2010-04-20 14:30:14

3042

PN结温度传感器工作原理是什么?

PN结温度传感器工作原理是什么? PN结温度传感器是一种半导体敏感器件, 它实现温度与电压的转换。在常温范围内兼有热电偶，铂电阻，和热敏

2010-02-26 11:52:44

9203

pn结的形成/多晶硅中PN结是怎样形成的？

pn结的形成/多晶硅中PN结是怎样形成的？ PN结及其形成过程　　在杂质半导体中，正负电荷数是相等的，它们的作用相互抵消

2010-02-26 11:40:45

4924

pn结原理是什么

pn结原理是什么 1.2.1 PN结的形成在一块本征半导体的两侧通过扩散不同的杂质,分别形成N型半导体和P型半导体。此时将在N型

2010-02-26 11:36:45

3396

PN结,PN结是什么意思?

PN结,PN结是什么意思?ＰＮ结的形成（1）当Ｐ型半导体和Ｎ型半导体结合在一起时，由于交界面处存在载流子浓度的差异，这样电子和空穴都要从浓度高

2010-02-26 11:33:35

31911

半导体光敏元件基础知识

半导体光敏元件基础知识 　　基于半导体光电效应的光电转换传感器，又称光电敏感器。采用光、电

2009-12-01 11:08:21

1408

电子元器件基础知识——半导体器件

电子元器件基础知识——半导体器件一、中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件

2009-11-28 09:40:59

1744

2114

半导体百科知识

半导体百科知识目录 半导体简介半导体定义半导体特点PN结的单向导电性伏安特性曲线半导体杂质半导体历史半导

2009-11-12 10:28:37

1997

半导体二极管及其应用

半导体二极管及其应用什么是半导体N 型和P型半导体1．半导体与PN结PN 结的形成PN结的单向导电性PN结的伏安特性二极管的结构及分类二极管

2009-11-11 11:36:47

PN结及其特性详细介绍

PN结及其特性详细介绍 1. PN结的形成　　在一块本征半导体在两侧通

2009-11-09 16:09:07

23119

半导体基础知识（详细篇）

半导体基础知识（详细篇） 2.1.1 概念　　根据物体导电能力(电阻率)的不同，来划分导体、绝缘体和半导体。 1.

2009-11-09 16:06:43

25962

PN结的构成

PN结的构成把一块半导体硅片或锗片，通过一定的工艺方法.一边做成P型半导体，另一边做成N型半导体，在两者交界处就会形成一个薄层，这个薄层就是PN 结.如图14-2 (a) 所

2009-08-22 15:22:03

2827

温度传感器—PN结温敏二极管

实验温度传感器—PN结温敏二极管实验原理：半导体PN 结具有良好的温度线性，根据PN 结特性表达公式I Is( RT 1)qv= l - 可知，当一个PN 结制成后，其反

2009-03-06 15:37:42

3825

PN结的形成及工作原理

PN结的形成及工作原理当P型和N型半导体材料结合时，P 型（ N型）材料中的空穴（电子）向N 型（ P 型）材料这边扩散，扩散的结果使得结

2008-12-21 16:13:38

7765

pn结的特性,PN结的击穿特性,PN结的电容特性

PN结的击穿特性：当反向电压增大到一定值时，PN结的反向电流将随反向电压的增加而急剧增加，这种现象称为PN

2008-09-10 09:26:04

12219

pn结的工作原理

pn结工作原理 1.2.1 PN结的形成在一块本征半导体的两侧通过扩散不同的杂质,分别形成N型半导体和P型半导体

2008-08-30 21:09:21

57000

1467

半导体基础知识.ppt

第一章 半导体二极管 1.1 半导体基础知识1.2?半导体二极管的特性及主要参数 1.3　二极管电路的分析方法 1.3　特殊二极管1.3　半导体二极管特性的测试与应

2008-05-28 10:42:06

115

已全部加载完成

搜索历史

[组图]什么是PN结及半导体基础知识

评论