如何使用Soatherm进行MOSFET热模型的设计
在高功率水平下，验证热插拔设计是否不超过MOSFET的能力是一个挑战。幸运的是，热行为和SOA可以在LTSPICE IV?等电路模拟器中建模。LTSPICE中包含的SoathermNMOS符号包含由线性技术开发的MOSFET热模型集合，以简化此任务。这些热模型可用于验证MOSFET的最大模具温度没有超过，即使在斯普里托区域，允许电流在高漏源电压下呈指数下降。理论上，Soatherm报告了MOSFET芯片上最热点的温度。Soatherm模型预测了MOSFET的温度，而不影响电路模拟的电气行为。本视频介绍如何使用Soatherm
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
电流
+关注
关注
40文章
7143浏览量
135333 -
MOSFET
+关注
关注
150文章
8692浏览量
221202 -
热插拔
+关注
关注
2文章
251浏览量
38813
发布评论请先 登录
相关推荐
热点推荐
MOSFET热阻参数解读
MOSFET的热阻（Rth）用来表征器件散热的能力，即芯片在工作时内部结产生的热量沿着表面金属及塑封料等材料向散热器或者环境传递过程中所遇到的阻力，单位是℃/W，其值越小越好。
Simcenter Flotherm BCI-ROM技术：与边界条件无关的降阶模型可加速电子热设计
优势比解算完整的3D详细模型快40,000倍与完整的3D详细模型相比，没有有效精度损失适用于所有热环境–用户定义传热系数范围可以在很长的持续时间内进行瞬态仿真，例如汽车行使工况支持多个
MOSFET讲解-17（可下载）
接下来接着看 12N50 数据手册上面这个参数是 MOSFET 的热阻，RBJC 表示 MOS 管结温到表面的 热阻，这里我们知道 RBJC=0.75。热阻的计算公式：RBJC = T
发表于 04-22 13:29
?5次下载
MOSFET与IGBT的区别
来解决选择IGBT还是MOSFET的问题，但针对特定SMPS应用中的IGBT 和 MOSFET进行性能比较，确定关键参数的范围还是能起到一定的参考作用。本文将对一些参数进行探讨，如硬开
发表于 03-25 13:43
MOSFET开关损耗计算
MOSFET 而言，其最大功率损耗是由温度及结-包装外壳间之热阻所决定的，即：
由上式可知，若能够有效减少热阻，则 Power MOSFET 所能承受之的最大功率损耗就可以获得提升
发表于 03-24 15:03
基于RC热阻SPICE模型的GaNPX?和PDFN封装的热特性建模
GaN Systems提供RC热阻模型，使客户能够使用SPICE进行详细的热模拟。 模型基于有限元分析（FEA）
一文带你读懂MOSFET开关损耗计算！！（免积分）
)对 Power MOSFET 而言，其最大功率损耗是由温度及结-包装外壳间之热阻所决定的，即：
由上式可知，若能够有效减少热阻，则 Power MOSFET 所能承受之的最大功
发表于 03-06 15:59
Nexperia SiC MOSFET LTspice模型使用指南
电子发烧友网站提供《Nexperia SiC MOSFET LTspice模型使用指南.pdf》资料免费下载
发表于 02-13 17:21
?2次下载
用于功率MOSFET的SPICE和VHDL-AMS精密电热模型
电子发烧友网站提供《用于功率MOSFET的SPICE和VHDL-AMS精密电热模型.pdf》资料免费下载
发表于 02-12 15:15
?0次下载
功率器件热设计基础（七）——热等效模型
/前言/功率半导体热设计是实现IGBT、SiCMOSFET高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。功率器件热
工商网监
评论