三星表示将在2019下半年量产内含EUV技术的7纳米制程 2021年量产3纳米GAA制程

为了减低近期存储器降价带来的冲击，全球存储器龙头三星逐渐强化晶圆代工业务，希望有机会进一步拉近与台积电的差距。在先进制程的发展方面，根据三星高层表示，将在 2019 下半年量产内含 EUV技术的 7 纳米制程，而 2021 年量产更先进的 3 纳米 GAA 制程。

根据国外科技网站《Tomshardware》报导，三星晶圆代工业务市场副总 Ryan Sanghyun Lee 表示，三星从 2002 年一直在开发硅纳米线金属氧化物半导体场效晶体管（Gate-All-Around；GAA ）技术，也就是透过使用纳米设备制造 MBCFET（Multi-Bridge-Channel FET），可显著提升晶体管性能。三星准备在 2021 年量产 3 纳米 GAA 制程。

报导进一步表示，关于三星 3 纳米 GAA 制程何时进入量产，至今似乎并没有统一说法。三星晶圆代工业务负责人 Eun Seung Jung于2018 年 12 月在 IEDM 会议就表示，三星已完成 3 纳米制程技术性能验证，进一步优化制程后，目标是在 2020 年大规模量产。

不过 3 纳米 GAA 制程不论 2020 年还是 2021 年量产，都还离现在都还有点远。三星 2019 年主推的是内含 EUV 技术的 7 纳米制程，预计 2019 下半年量产。尽管三星 2018 年就已经宣布内含 EUV 技术的 7 纳米制程能量产，实际上之前所说的量产只是风险试产，远未达到规模量产的地步，2019 年底量产才有可能。

只是，在内含 EUV 技术的 7 纳米制程，台积电之前也宣布将在 2019 年量产，看起来三星也没有进度优势，目前仅能寄望在三星在内含 EUV 技术的 7 纳米制程有自己开发的光罩检查工具，而在其他竞争对手还没有类似的商业工具的情况下，能有更好的良率，以及更低的成本。因此 7 纳米节点，三星现阶段想要超前，似乎还需要一点运气。