莫大康：贸易战下的中国半导体业

由美国蓄意发动的贸易战历时已经数月，对于中国半导体业发展的影响不可低估，显然也不值得惊慌。

要充分认识这场贸易战的不可避免性、两重性以及它的艰巨性。

所谓不可避免性是指中国一定会崛起，而美国试图阻挠，双方之间哪方也不可能妥协，非常有意思的是至此听到的是双方都说自己会”赢”，因此注定此战具长期性及复杂性。

这场贸易战有两重性，可谓“我中有你，你中有我”，因此不太可能会走向极端，双方都会保持一定的理性与克制。

艰巨性体现在矛盾是很难轻易解决，只有利益的暂时平衡。中方把此场贸易战看成是中国半导体业前进成长道路上的必修课之一。由于产业处在独特的地位，面临的困难可能更多。相信依赖于政府补贴，暂时是可以的，也有必要，但是长久是长不大的，只有从竞争中胜出。相信经过此战后可能会加速产业向市场化的进程。

产业稳中有进

近期从产业一线传来的消息尚令人可喜：

中芯国际Q2的法说会上梁孟松指出，14纳米第一代FinFET目前PDK1.0版本已经释出给客户，预计提前至2019年上半年开始风险量产；同时，正规划第二代FinFET工艺，预计芯片能耗将会减少40%，速度提升30%，逻辑芯片密度增加50%左右。之后会基于客户的需求、同时跟紧行业技术标准，最重要的是保证技术的竞争力提升。

华虹半导体8月7日发布2018年Q2及中期业绩报告。2018年上半年，公司实现销售收入约4.4亿美元，同比增长15.4%，再创历史新高；母公司拥有人应占利润8588.8万美元，同比增加25.5%。每股盈利0.08美元。

2018年第二季度，公司实现销售收入约2.3亿美元，同比增长16.1%；母公司拥有人应占利润4579.1万美元，同比增长33.3%。每股盈利0.04美元。

它的无锡工厂建造正按计划顺利进行，目前正在着手准备月产12英寸40，000片产能首阶段的相关设备计划。

三家存储器厂都进入设备的安装阶段，其中合肥长鑫作为三大存储芯片厂商中第一家正式投片的DRAM大厂，它作通用型19nm DRAM，每个12英寸硅片有8Gb DRAM的管芯800-1，000个，目前的产能约为10，000片，而福建晋华做利基型25nm DRAM，及长江存储做 3D NAND。

值得庆贺的是长江存储推出了自己的Xtacking架构，其将外围电路置于存储单元之上，从而实现比传统3D NAND更高的存储密度；其最大的特点是高速I/O，高存储密度，以及更短的产品上市周期。特别是在I/O速度方面，目前，世界上最快的3D NAND I/O速度的目标值是1.4Gbps，而大多数供应商仅能供应1.0 Gbps或更低的速度。利用Xtacking技术有望大幅提升NAND的I/O速度至3.0Gbps，几乎与DRAM DDR4的I/O速度相当。长江存储将把Xtacking技术用在它的64层3D NAND中，计划2019年实现量产。

当长江存储提出新的Xtacking架构之后，注意到韩国方面并没有暴跳如雷，仅看到的报道是认为此种架构的成品率难提升，这也是对于长江存储的考验。

三家存储器厂真正的量产考验尚在2019-2020年之后。

另一家上海的中微半导体是国内技术最领先的集成电路设备厂之一，主要深耕刻蚀机领域的介质刻蚀设备、硅通孔刻蚀设备、MOCVD设备等，它的产品是全球化的，已成功进入海内外重要客户供应体系，如其介质刻蚀设备已打入台积电的7nm、10nm量产线，成功地打破了国际巨头的垄断。

目前中微半导体刻蚀设备零部件国产化率已超过35%，并已开发了20多个国内的客户，它的刻蚀，硅通孔设备及MOCVD的质量达到了国际先进水平，截至2017年底，已有620多个中微半导体生产的刻蚀反应腔体运行在全球的39条先进生产线上。

贸易战中要建自信

特朗普的”出牌”尚不可测，据最新的清单，160亿美元出口美国的清单中，加税25%已包含LED芯片等，所以出口受阻是首当其冲，同时人民币汇率己下降约10%，对于众多芯片制造厂购买设备及原材料等的影响也不可小视。

现阶段美方针对中国半导体业的策略是竭力阻止兼并，先进制程技术的流出，以及人材的流失等，未来它们的出牌机会尚很多，必须密切关注。

然而一切之中，中国半导体业必须保持清醒，不能先乱了自身的方寸。只要扎实地把目前的工作做好就是最好的应对。要相信上世纪60-70年代的全面“禁运”时代，中国半导体业也能挺过来，现在的态势已大不同。

近日见到一文说，“俄罗斯没有先进的芯片制造业（据说落后于中国），照样能生产出足以与美对抗的许多先进的武器装备”，中国还有什么可担心的。

“人无远虑，必有近忧”，要作好最坏时刻的预案准备，中国半导体业一定会由危机转为契机。

今天来看贸易战可能有些“紧张”，但是相信再过几年之后，随着中国的国力继续提升，双方的贸易战也逐渐成为”常态”，中国一定会更加自信与有力量。