Texas Instruments AMC23C12/AMC23C12-Q1隔离式窗口比较器具有较短的响应时间。开漏输出通过一个具有高抗磁干扰能力的隔离栅与输入电路分离。该隔离栅经认证可提供高达5kVRMS的增强电流隔离，符合VDE 0884-17和UL1577标准。它还支持最高1kVPK的工作电压。

数据手册：

*附件：AMC23C12数据手册.pdf

*附件：AMC23C12-Q1数据手册.pdf

比较窗口以0V为中心，这意味着如果输入电压的绝对值超过跳闸阈值，那么比较器就会跳闸。跳闸阈值可通过单个外部电阻器在20mV至300mV范围内调节，因此比较窗口的范围为±20mV至±300mV。当REF引脚上的电压大于550mV时，负比较器会禁用，仅正比较器正常运行。该模式下的基准电压可高达2.7V。该模式对于监控电压源特别有用。

该器件上的开漏输出支持透明模式（锁存输入与GND2连接），即输出跟随输入状态；或锁存模式，即在锁存输入信号的下降沿清除输出。AMC23C12/AMC23C12-Q1采用8引脚宽体SOIC封装。它的额定扩展工业温度范围为–40°C至+125°C。Texas Instruments AMC23C12-Q1器件符合汽车应用类AEC-Q100标准。

特性

• 宽高侧电源电压范围：3V至27V
• 低侧电源电压范围：2.7V至5.5V
• 可调节阈值
  • ±20mV至±300 mV（窗口比较器模式）
  • 600mV至2.7V（正比较器模式）
• 基准电流，用于阈值调整
  • 100?A, ±2%
• 跳闸阈值误差：±1%（最大值，250mV时）
• 开漏输出，具有可选锁存模式
• 传播延迟：280ns（典型值）
• 高CMTI：55V/ns（最小值）
• 安全相关认证
  • 7000V峰值增强型隔离，符合DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17)
  • 符合UL1577标准且长达1分钟的5000VRMS隔离
• 在整个–40°C至+125°C扩展工业温度范围内标定的值

功能框图

AMC23C12快速响应、可调阈值带锁存功能的增强型隔离窗口比较器技术解析

一、产品核心特性与创新设计

AMC23C12是德州仪器(TI)推出的增强型隔离窗口比较器，具有以下突破性特性：

?1.1 卓越的隔离性能?

• ?7000VPK增强型隔离?：符合DIN EN IEC 60747-17(VDE 0884-17)标准
• ?5000VRMS隔离耐压?：通过UL1577认证（1分钟测试）
• ?超高CMTI性能?：55V/ns（最小值），确保在强电磁干扰环境下稳定工作

?1.2 灵活的阈值配置?

• ?窗口比较器模式?：±20mV至±300mV可调阈值范围
• ?正比较器模式?：600mV至2.7V阈值范围（当REF引脚电压>550mV时自动切换）
• ?精密参考电流源?：100μA ±1%精度，通过单电阻即可设置阈值

?1.3 超快响应特性?

• ?280ns典型传播延迟?：适用于快速故障检测场景
• ?双工作模式选择?：透明模式（实时响应）或锁存模式（需外部复位）

二、关键电气参数解析

三、典型应用电路设计

3.1 电机驱动过流保护方案

?电路拓扑特点?：

• 并联于电流检测放大器(如AMC1300B)
• 高边直接连接门极驱动电源(3-27V)
• 10mΩ分流电阻实现±25A检测范围

?关键设计公式?：

• 阈值电阻计算：R1 = (VTRIP - VHYS)/IREF
  • 示例：20A保护点→(200mV-4mV)/100μA=1.96kΩ
• RC滤波设计：R5=10Ω, C6=1nF→10ns附加延迟

3.2 光伏逆变器过压检测

?独特优势?：

• 支持高达480V DC链路电压监测
• 21kΩ阈值电阻实现2.1V参考电压
• 25mV迟滞电压增强噪声免疫力

?布局要点?：

• REF引脚100nF电容需最近距离放置
• 高边/低侧地平面严格隔离
• 输出端采用≤10kΩ上拉电阻优化CMTI

四、工作模式深度解析

4.1 窗口比较器模式(VREF<550mV)

• ?双阈值检测?：+VREF和-VREF对称阈值
• ?4mV固定迟滞?：防止输入噪声导致误触发
• ?典型应用?：双向电流检测、交流信号监控

4.2 正比较器模式(VREF>600mV)

• ?单阈值检测?：仅响应正向过压
• ?迟滞增至25mV?：提升高压检测稳定性
• ?典型应用?：DC电源监控、制动电阻控制

4.3 锁存功能实现

• ?透明模式?：LATCH=0，输出实时反映输入状态
• ?锁存模式?：LATCH=1，需下降沿复位(>4μs)
• ?故障记忆优势?：适合周期性轮询系统

五、电源管理与保护机制

?5.1 创新电源架构?

• 集成高边LDO：支持3-27V宽输入
• 双电源监控：VDD1UV=3V, VDD2UV=2.7V
• 200μs启动消隐时间(tHS,BLK)

?5.2 故障保护时序?

六、PCB设计指南

?6.1 关键布局规则?

1. ?接地策略?：
   • 高边GND1直接连接检测电阻
   • 低边GND2独立回路
2. ?去耦设计?：
   • 高边：1μF+100nF陶瓷电容组合
   • 低边：1μF+100nF陶瓷电容组合
3. ?隔离间距?：
   • 保持8.5mm爬电距离
   • 避免高压走线与输出平行

?6.2 热管理建议?

• 封装热阻：θJA=102.8°C/W
• 最大功耗：102mW@25V/5.5V
• 建议使用2oz铜厚PCB