钙钛矿太阳能组件(PSMs)因其高效率和低制造成本成为光伏领域的研究热点,其商业化仍面临的关键挑战之一是串联互连工艺中激光划刻的精度与可靠性。激光划刻直接影响了组件的几何填充因子(GFF)、串联电阻和最终效率。其中紫外纳秒激光(355 nm)因其高材料吸收率和低热影响,适用于玻璃及柔性基板上P1、P2、P3全部划刻步骤。本文系统研究了激光参数对划刻质量的影响,并引入美能钙钛矿在线影像显微测试仪实现划刻形貌、残留和界面质量的实时监测与智能分析,显著提升了工艺控制的精确性和模块制备的良率,为PSMs的高精度规模化制造提供了有效解决方案。
钙钛矿太阳能组件(PSMs)样品制备
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串联n-i-p型PSM中P1-P2-P3划刻工艺流程
清洗后的玻璃/ITO基底经UV-O?处理,旋涂SnO?电子传输层(150℃退火20分钟),随后沉积三元阳离子钙钛矿层,采用两步旋涂法并在退火前滴加氯苯诱导结晶。空穴传输层由PVK和CuInS?纳米颗粒墨水组成,最后热蒸发沉积75 nm金属电极。
P1、P2、P3激光刻划信息
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钙钛矿组件串联互联中P1–P2–P3划刻所需特性
本文采用纳秒紫外激光(355nm)对刚性及柔性 TCO 衬底、SnO? / PSK / Spiro-OMeTAD / Au 结构的 P1、P2、P3 刻划步骤进行研究,分析了刻划参数变化对 P1、P2、P3 刻划条形貌与轮廓的影响。
P1划刻:TCO 刻划性能分析
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玻璃基底反射产生的干涉条纹可能损伤TCO,降低功率可缓解该问题
玻璃/ITO和玻璃/FTO样品上划刻条纹(P1)的SEM图像及轮廓(a-f为玻璃/ITO,m-r为玻璃/FTO)
(a-d) 不同P???值下玻璃/ITO单次与重复划刻的SEM图像;(e-h) 对应轮廓图;(i-m) PEN/ITO在不同P???下的SEM图像;(n-r) 机械清洁前轮廓图;(s-w) 机械清洁后轮廓图
玻璃/FTO基板(厚度>600 nm):在重复频率25-80 kHz、平均功率675 mW条件下,可获得边缘清晰、无明显材料堆积的划刻条纹。
玻璃/ITO基板(厚度约200 nm):低频(25 kHz)易导致激光能量集中,引起基板局部过热和微裂纹,边缘有轻微隆起(100-200 nm)。
柔性PEN/ITO基板:需将平均功率控制在633 mW以下,并配合机械清洁工艺使边缘高度从8000 nm降至4000 nm。
P2划刻:ETL/PSK/HTL 刻划性能分析
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(a-f) 不同重复频率下P2单线划刻的SEM图像;(g-l) 对应轮廓图;(m-x) 宽度200 μm、光栅距离10 μm的P2条带在不同扫描次数下的SEM图像与轮廓图
(a)到(f)在玻璃/ITO/SnO?结构上刻划的钙钛矿层(P2)的SEM图像
(a-f, m-r) 不同P???(47–406 mW)下P2划刻的SEM图像;(g-l) 对应轮廓图
紫外激光(355 nm)因钙钛矿层高吸收、TCO低吸收而具有高选择性,可实现精准去除而不损伤底层。CO?红外激光(10 μm)需能量高4个数量级且易损伤FTO,而532 nm绿光激光效果较好但需与其他波长配合。在最佳参数(P???=119–189 mW, F?=80 kHz, 速度=400 mm/s)下,P2划刻可完全去除功能层而不损伤ITO。
玻璃/ITO/SnO?/PSK/PVK/CuInS?结构在刻划前后的透射光谱
透射光谱显示功率150mW时,多次划刻仍存在钙钛矿残留;功率≥234mW时,ITO损伤加剧但残留减少,最优窗口为150-234mW(80kHz,400mm/s)。
P3划刻:Au 背电极刻划性能分析
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不同参数下Au薄膜(P3)刻蚀的光学显微镜图像
金层(75 nm)划刻需避免边缘分层和底层钙钛矿损伤。频率100–150 kHz、功率约100 mW时可获得清晰绝缘沟道。分割电池的I?c、V?c、FF相对值验证了划刻有效性。
(a) 玻璃侧与 (b) 金侧的P1P2P3图案光学图像;(c) 单电池与串联互联双电池的J-V曲线
展示了完整P1-P2-P3图案和串联电池的J-V曲线,其V?c接近单电池两倍,证明互联成功。
纳秒紫外激光(355 nm)通过调节重复频率(如P2推荐80 kHz)、平均功率(P2建议119–189 mW)和扫描速度(如400 mm/s)精确控制热输入,以避免底层损伤、边缘熔融或材料残留,实现了钙钛矿太阳能组件串联互连的P1-P2-P3划刻,通过对划刻形貌和质量进行表征,该工艺在串联互联中表现出良好重复性,为钙钛矿组件产业化提供了可靠方案。
美能钙钛矿在线影像显微测试仪
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美能钙钛矿在线影像显微测试仪是一种基于CCD数位影像和计算机图像技术的精密测量仪器,通过光学显微镜对物体进行高倍率光学放大成像,然后通过CCD摄像系统将影像送入计算机进行测量和分析,在线检测P1\P2\P3激光划线尺寸与缺陷。
功能多元:尺寸识别+表面缺陷二合一
更高精度:可实现划线宽度及间距±3um精度
更快检测速度:单点尺寸检测≤3.5s,线扫正面电池≤120s
数据库支持:图像尺寸自动标注,并形成ecl数据文档,方便研发人员取用
采用美能钙钛矿在线影像显微测试仪的高倍率光学放大与CCD数字成像技术,对划刻形貌进行实时精密测量与分析,显著提升划刻工艺的重复性与可靠性,推动钙钛矿组件产业化发展。
原文参考:UV Laser Scribing for Perovskite Solar Modules Fabrication, Pros, and Cons
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