安森美三款产品入围2025年度全球电子成就奖与亚洲金选奖

由Aspencore发起的全球电子成就奖 (World Electronics Achievement Awards) 和亚洲金选奖(EE Awards Asia)正在火热评选中。安森美(onsemi)的Hyperlux ID iToF 先进深度传感器、采用TOLL封装的 5mOhm /750V SiC Combo JFET UG4SC075005L8S、先进模拟和混合信号平台Treo成功入围两个奖项。

全球电子成就奖作为电子领域极具分量的荣誉，奖项专注于从众多参与者中甄选具备顶尖技术实力与商业潜力的标杆，以此引导和激励电子企业不断精进，持续提升自身核心竞争力。

亚洲金选奖的诞生来自于工程师信赖的选择，在《EE Times》及《EDN》专业技术媒体与科技人士的共同见证下，发布半导体电子产业界年度应用产品推荐榜单，以及最佳设计解决方案，同时将表彰对电子创新与发展做出重要贡献的人士。

Hyperlux ID iToF 先进深度传感器

Hyperlux ID 系列使用安森美全新专有全局快门像素架构且自带存储，可以捕捉整个场景，同时实时进行深度测量，突破标准 iToF 传感器的局限性，实现最远 30 米的深度感知。

规格：

Hyperlux ID 系列包括120 万像素全局快门、3.5?m背照式(BSI)像素传感器。AF0130型号还自带处理功能，令集成更简单并降低系统成本。对于那些希望集成自有深度检测算法的客户，AF0131可以提供这一特性，为客户增加了选择灵活性。

应用领域：

Hyperlux ID适用于面部识别、手势检测和 3D 视频会议等消费应用场景，以及各种工业环境，例如自动化与机器人、制造与质量控制、物流与物料处理、农业与种植、访问控制系统。

竞争优势：

传统的iToF传感器由于测距范围有限、在恶劣光线条件下性能不佳以及无法对移动物体计算深度，其应用受到了限制。Hyperlux ID 系列能够对移动物体和高分辨率图像进行精确测量，有助于减少错误和停机时间，优化制造系统的流程，从而降低运营成本。Hyperlux ID深度感知距离是标准 iToF 传感器的四倍，而且外形尺寸更小。 此外，该传感器系列还能同时生成黑白图像和深度信息。 通过结合这两种输出，该传感器系列可以提供全面的环境视图，而无需为视觉和深度数据分别配置传感器。

采用TOLL封装的 5mOhm /750V SiC Combo JFET UG4SC075005L8S

安森美的UG4SC075005L8S在AI PSU设计中非常受欢迎，有助于实现下一代20 kW系统，以创新的Combo架构、高能效、高可靠性及系统友好性，解决了AI领域大电流、高功率场景的核心痛点。

关键特性与优势包括：

Combo JFET的设计旨在让用户能够分别独立控制MOSFET和SiC JFET的栅极。

超低导通电阻Rds(on)：采用SiC JFET技术，UG4SC075005L8S的导通电阻低至5mOhm，显著降低导通损耗，提高能效。

更高的峰值电流Idm：峰值电流对于电路保护应用至关重要，而高 Idm的UG4SC075005L8S正是实现这一目的的理想选择。电路保护应用因其特定的工作条件而要求稳健性和大电流穿越能力。

低热阻RθJC：安森美的UG4SC075005L8S采用银烧结裸片贴装技术，与大多数焊接材料相比，界面导热性能提高了六倍，从而在更小的裸片尺寸下实现相同甚至更低的结至外壳热阻RθJC。低RθJC有助于保持较低的结温，并确保更高的可靠性。

速度可控性：电路保护和多路并联应用的理想选择。通过降低关断速度来减少电压过冲，可加强电路保护，尤其是短路保护。易于并联，出色地平衡了开关损耗和动态电流平衡之间的性能。

结构简单，使用寿命长，无参数漂移

栅极驱动兼容性：支持使用成熟的硅基晶体管驱动器，无需专用驱动电路，简化系统设计，加快开发速度。

先进模拟和混合信号平台Treo

Treo 平台是先进的模拟和混合信号平台，基于 65nm 节点的BCD(Bipolar–CMOS -DMOS)工艺技术构建，为安森美广泛的电源和感知解决方案奠定了强大的基础，包括高性能和低功耗感知、高效电源管理和专用通信器件，用于汽车、工业和AI数据中心等各种应用。该平台采用模块化架构，拥有一套用于构成计算、电源管理、感知和通信子系统的不断演进且稳健的 IP 构建模块，支持业界领先的 1-90V 宽电压范围和高达 175°C 的工作温度，使客户能够集成从低功耗到高功耗的一系列功能。

这些功能增强了安森美交付优化解决方案和定制产品组合的能力，使客户能够以前所未有的速度将产品推向市场。基于 Treo 平台制造的产品可在精度、性能和能效方面实现显著提升，从而改善功能、安全性和整个生命周期的质量。