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?TPS66120/TPS66121 集成Sink路径与VBUS LDO稳压器数据手册总结

科技绿洲 ? 2025-08-08 18:11 ? 次阅读
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TPS6612x 包含集成的 4V 至 22V 灌电源路径。电源路径支持过热和反向电流保护。VBUS具有过压保护,其电平由可选的外部电阻分压器设置。如果不需要过压保护,可以通过将 OVP 端子接地来禁用它。TPS6612x 支持指示过热事件的故障引脚。

TPS6612x 系列还支持高压 VBUS LDO 稳压器(每种器件类型 3.3V 或 5V),可用于在电池没电条件下运行时为器件和其他系统组件供电。TPS66120调节至 3.3 V,TPS66121调节至 5 V。
*附件:tps66120.pdf

特性

  • 集成 22 mΩ(典型值)、32V 容差 NFET 4V 至 22V 灌电流路径,高达 5 A
  • 内置软启动以限制浪涌电流
  • 集成高压VBUS LDO稳压器(每种器件类型3.3V或5.0V)
  • 通过引脚配置可选的 VBUS 过压保护。
  • 系统电源和 VBUS 欠压保护
  • 过温保护
  • 反向电流保护
  • 具有去毛刺故障报告功能的故障引脚
  • 占地面积小的 WCSP 封装,无需 HDI。

参数
image.png

方框图

image.png
?1. 产品概述?

  • ?型号差异?:TPS66120输出3.3V,TPS66121输出5V,均采用28引脚WCSP封装(尺寸1.606mm x 2.806mm)。
  • ?核心功能?:集成22mΩ(典型值)、32V耐压NFET的Sink路径(支持4V-22V/5A),内置软启动、反向电流保护(RCP)、VBUS过压保护(OVP)及温度保护。
  • ?VBUS LDO?:高压LDO稳压器,支持死电池条件下为系统供电(TPS66120:3.3V,TPS66121:5V,最大30mA)。

?2. 关键特性?

  • ?电源管理?:
    • 支持VIN或VBUS双电源输入,自动切换电源路径。
    • VIN欠压锁定(UVLO):TPS66120(2.45V-2.75V),TPS66121(3.89V-4.40V)。
  • ?保护机制?:
    • OVP可通过外部电阻分压配置(如R1=432kΩ/R2=20kΩ时阈值22.6V),或禁用(OVP引脚接地)。
    • 热关断:PPHV路径独立保护(128°C-172°C触发),全局保护(140°C-178°C触发)。

?3. 应用场景?

  • 台式机/笔记本主板、Chromebook、扩展坞、Type-C适配器等USB PD设备。
  • ?典型设计?:
    • 单端口Type-C方案(如图17),支持5V/3A至20V/3A供电协议。
    • 死电池模式下,VBUS LDO为PD控制器供电,充电后切换至VIN电源。

?4. 设计要点?

  • ?布局建议?:
    • PPHV/VBUS走线需短而宽,VLDO需就近放置4.7μF陶瓷电容
    • 可选TVS2200保护VBUS端口(钳位电压28.3V)。
  • ?电容选择?:
    • VBUS总电容≤10μF(PD规范),PPHV系统侧负载电容建议47-100μF。

?5. 状态与故障管理?

  • ?工作模式?:通过EN0引脚控制(DISABLED/SNK/SNK FAULT状态)。
  • ?故障指示?:FLT引脚低电平报告OVP或过热事件,持续至少4ms。

?6. 机械与订购信息?

  • 封装:DSBGA(YBG),卷带包装(3000颗/卷)。
  • 工作温度:-10°C至85°C。
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