英诺赛科与联合电子成立 GaN 技术联合实验室

近日，氮化镓领域的领军企业英诺赛科与全球领先的汽车电子系统供应商联合电子宣布，双方携手成立氮化镓（GaN）技术联合实验室。这一合作旨在充分发挥氮化镓器件在高功率密度、低导通电阻、高转换效率以及产品尺寸小型化等方面的优势，共同为新能源汽车开发先进的电力电子系统。

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英诺赛科作为全球氮化镓产业的龙头，自 2017 年成立以来成绩斐然。2024 年完成 E 轮融资后，其投后估值达 235 亿元，成功跻身超级独角兽行列，并于同年 12 月 31 日正式登陆港股。公司拥有全球最大的氮化镓功率半导体生产基地，是全球首家实现量产 8 英寸硅基氮化镓晶圆的企业，也是唯一具备产业规模提供全电压谱系硅基氮化镓半导体产品的公司。截至 2023 年 12 月 31 日，英诺赛科氮化镓分立器件累计出货量超过 5 亿颗，2023 年在全球氮化镓功率器件半导体市场的份额达 33.7%，位居第一。

联合电子在汽车电子领域深耕多年，具备深厚的系统知识和丰富的行业经验，为众多知名汽车厂商提供关键的电子系统解决方案。此次双方强强联合，通过联合实验室的平台，将充分整合各自优势。英诺赛科发挥其在 GaN 领域的技术专长，而联合电子则凭借其在汽车电子系统方面的专业能力，共同致力于为新能源汽车打造更小巧、更轻便的电源和驱动系统，推动新能源汽车电力电子系统的未来发展。

氮化镓作为 “第三代半导体” 的代表性材料，具有高频、耐高压、耐高温和抗辐射等优越性能，在新能源车、光伏、风电、5G 通信等新兴技术领域展现出巨大的应用潜力。在新能源汽车领域，高效的电力电子系统对于提升车辆的续航里程、充电速度以及整体性能至关重要。GaN 器件的应用有望显著优化新能源汽车的电源和驱动系统，提升系统效率，降低能耗。

随着全球对新能源汽车需求的持续增长以及对节能减排要求的不断提高，新能源汽车产业正迎来快速发展期。英诺赛科与联合电子成立 GaN 技术联合实验室，不仅顺应了行业发展的趋势，也将为双方在新能源汽车市场赢得更多的发展机遇。这一合作有望推动氮化镓技术在新能源汽车领域的广泛应用，提升我国在新能源汽车核心技术领域的竞争力，同时也为全球新能源汽车产业的技术创新注入新的活力。 期待双方在联合实验室的合作中取得丰硕成果，为新能源汽车行业带来更多创新的解决方案，引领行业技术发展新潮流。

来源：半导体芯科技

审核编辑 黄宇