PD快充芯片U8722BH高效安全实现快速充电
U8722BH
快充的核心使命是实现快速充电。它专为承载更高的电流或电压设计,旨在显著缩短手机、平板等设备的充电时间。快充线必须内置专用芯片或通过特定物理结构,以识别并匹配各种快充协议。深圳银联宝PD快充芯片U8722BH是一款集成E-GaN的高频高性能准谐振模式交直流转换功率开关,特别适应于快速充电器及适配器上!
PD快充芯片U8722BH特性:
● 集成700V E-GaN
● 集成高压启动功能
● 超低启动和工作电流,待机功耗<30mW
● 谷底锁定模式,最高工作频率两档可调(220kHz,130kHz)
● 集成EMI优化技术
● 驱动电流分档配置
● 集成Boost供电电路
● 集成完备的保护功能:
VDD过压/欠压保(VDD OVP/UVLO)
输出过压保护(OVP)
输入欠压保护(BOP)
片内过热保护(OTP)
逐周期电流限制(OCP)
异常过流保护(AOCP)
短路保护(SCP)
过载保护(OLP)
过流保护(SOCP)
前沿消隐(LEB)
CS管脚开路保护
● 封装类型HSOP-7
8722YIN LIAN BAO
PD快充芯片U8722BH集成高压E-Mode GaN FET,为了保障GaN FET工作的可靠性和高系统效率,芯片内置了高精度、高可靠性的驱动电路,驱动电压为VDRV(典型值6.2V)。EMI性能为高频交直流转换器的设计难点,为此U8722BH通过DEM管脚集成了驱动电流分档配置功能。如表所示,通过配置DEM管脚分压电阻值,可以选择不同档位的驱动电流,进而调节GaN FET的开通速度,系统设计者可以获得最优的EMI性能和系统效率的平衡。不同驱动电流档位的DEM电阻推荐值参考下表(以20V为例)。

快充因承载更大功率,对质量、做工、散热要求极高。选择正规厂家出品的PD快充芯片,可以有效保障充电器的效率、安全!深圳银联宝科技PD快充芯片通过严格的安全认证,六级能效,绿色环保,值得信赖!
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