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LM5575 6V 至 75V、1.5A 宽输入电压降压稳压器数据手册

科技绿洲 ? 2025-07-18 15:29 ? 次阅读
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LM5575 是一款易于使用的 SIMPLE SWITCHER? 降压稳压器,允许设计 工程师使用最少的组件集设计和优化稳健的电源。经营 LM5575 的输入电压范围为 6 - 75V,可提供 1.5A 的连续输出电流 集成330mΩ N沟道MOSFET。稳压器采用仿真电流模式架构 提供固有的线路调节、严格的负载瞬态响应和易于环路的 补偿,不受与电流模式相关的低占空比的通常限制 监管 机构。工作频率可在 50kHz 至 500kHz 之间调节,以实现优化 尺寸和效率。为了降低EMI,频率同步引脚允许多个IC来自 LM(2)557x 系列,用于自同步或同步到外部时钟。LM5575 确保 具有逐周期电流限制、短路保护、热关断和 远程关机。该器件采用功率增强型HTSSOP-16封装,具有 用于散热的裸露芯片连接垫。LM5575 由全套 WEBENCH 在线设计工具。
*附件:lm5575.pdf

特性

  • LM5575Q 是符合 AEC-Q100 1 级标准(-40°C 至 + 125°C 工作结温)的汽车级产品
  • 集成75V、330mΩ N沟道MOSFET
  • 6V至75V的超宽输入电压范围
  • 可调输出电压低至1.225V
  • 1.5% 反馈参考精度
  • 工作频率可在50kHz至500kHz之间调节,采用单电阻
  • 主频率或从频率同步
  • 可调节软启动
  • 仿真电流模式控制架构
  • 宽带宽误差放大器
  • 内置保护
  • 可根据要求提供符合AEC-Q100 0级标准的汽车级产品数据表。
    • (?40°C至+150°C工作结温)

参数
image.png

方框图

image.png
?1. 产品概述?
LM5575是德州仪器(TI)推出的SIMPLE SWITCHER?系列降压开关稳压器,集成75V/330mΩ N沟道MOSFET,输入电压范围6V-75V,输出电流达1.5A。采用仿真电流模式控制架构,支持50kHz-500kHz可调开关频率,适用于汽车、工业等高输入电压场景。

?2. 关键特性?

  • ?宽输入范围?:6V-75V,支持汽车冷启动等高瞬态电压场景。
  • ?高精度输出?:反馈基准精度±1.5%,输出电压可低至1.225V。
  • ?灵活频率控制?:通过单电阻调节频率,支持主/从同步功能。
  • ?全面保护?:
    • 逐周期电流限制(2.1A典型值)
    • 热关断(165°C触发)
    • 远程关断(SD引脚控制)
  • ?低EMI设计?:SYNC引脚支持多芯片同步或外部时钟同步。

?3. 功能模块详解?

  • ?高压启动稳压器?:双模式设计,VIN<9V时直连VCC,>9V时稳压至7V,支持外部辅助供电降低功耗。
  • ?电流模式控制?:
    • 采用仿真电流斜坡技术,避免传统电流检测的脉冲干扰问题。
    • RAMP引脚外接电容(CRAMP)模拟电感电流斜率,推荐CRAMP = L×10??(L为电感值)。
  • ?软启动?:SS引脚外接电容控制启动时间(tSS=CSS×1.225V/10μA)。

?4. 典型应用设计?

  • ?电感选择?:需满足峰值电流(IPK+ = IOUT+ΔIL/2)及饱和电流要求,例:47μH/3.25A饱和电流电感。
  • ?输入/输出电容?:
    • 输入:低ESR陶瓷电容(如2×1μF/100V),RMS电流需>IOUT/2。
    • 输出:组合使用陶瓷电容(10μF)和有机铝电容(120μF)以兼顾纹波与瞬态响应。
  • ?二极管?:必须选用肖特基二极管(如100V/CMSH3-100),避免反向恢复电流损坏MOSFET。

?5. PCB与散热设计?

  • ?布局要点?:
    • 缩短功率回路(VIN→SW→电感→负载→PGND)路径以降低寄生电感。
    • AGND与PGND通过器件底部裸露焊盘连接至地平面。
  • ?散热优化?:
    • 裸露焊盘需通过多过孔连接至地平面,典型热阻θJA=50°C/W(无风冷)。
    • 高输入电压工况下需计算IC功耗(例:70V输入/1.5A输出时约1.25W)。

?6. 封装与订购信息?

  • ?封装?:HTSSOP-16EP(带裸露焊盘),符合AEC-Q100 Grade 1认证(-40°C至+125°C)。
  • ?型号选项?:
    • 标准版:LM5575MH
    • 车规版:LM5575Q(-40°C至+150°C)

?7. 设计支持工具?

  • 配套WEBENCH?在线工具提供完整设计优化方案。
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