上海贝岭即将亮相2025国际电机驱动与控制论坛

在工业4.0浪潮的推动下，智能制造、工业控制及自动化领域快速发展，IGBT作为高压电机驱动设备的核心，市场需求持续攀升。上海贝岭受邀参加由AspenCore主办的2025第五届国际电机驱动与控制论坛，将与国际和本土知名厂商的技术和应用专家共同带来电机驱动领域的最新技术。

大会将于2025年7月24日在深圳市举办，届时上海贝岭工业市场经理康博将进行“从硅片到系统：上海贝岭IGBT黄金组合赋能电机升级“主题演讲，诚邀您共聚深圳，共襄盛会！

本次贝岭携“多款” 先进产品参展，以下是产品介绍：

650V 10A~75A系列IGBT产品

产品性能及应用介绍

基于贝岭第6代Trench FS IGBT工艺平台，采用3um pitch的微沟槽工艺，正面结构采用精心设计的“Gate沟槽+dummy沟槽” 比例，背面采用优化的H FS工艺，获得良好Vcesat-Eoff折衷性能，以及优秀的短路能力；终端采用优化的“FLR+场板技术”，实现175℃的最高工作结温，并且可以通过HV-H3TRB的加严可靠性测试。

650V 80A~200A 系列IGBT产品

产品性能及应用介绍

基于贝岭第7代Trench FS IGBT工艺平台，采用更加先进的1.6um pitch微沟槽工艺，正面结构通过“Gate沟槽+E短接沟槽+dummy 沟槽”3种沟槽的设计比例优化，背面采用优化的H FS工艺，获得足够低的Vceast和良好的开关损耗，满足电机驱动应用所需的短路能力；终端采用优化的“VLD技术”，在提高芯片有效面积占比的同时，实现175℃的最高工作结温，并且可以通过HV-H3TRB的加严可靠性测试。

40V SGT MOS产品

产品性能及应用介绍

贝岭40V系列SGT MOS基于GTA最新的低压SGT工艺平台，采用红磷衬底及HDP工艺：红磷衬底的电阻率只有砷衬底的1/3，采用红磷可以显著降低衬底电阻；HDP工艺可以制得高密度元胞，降低沟道电阻及整体导通电阻。得益于精心调试的工艺，高密度元胞并没有额外增加应力，wafer仍然可以减薄至100um(非taiko)，这也显著降低了衬底电阻。

封装方面，40V SGT主要是PDFN5*6封装，键合方式有常规铝带和铜片clip两种：常规铝带的封装电阻小于铝丝键合，成本较低；铜片clip的封装电阻远小于铝丝/铝带键合，过流能力较强。

80~150V SGT MOS产品

产品性能及应用介绍

上海贝岭80~150V系列SGT MOS基于GTA最新的中高压SGT工艺平台，采用双层EPI优化了电场分布，因此采用更高掺杂浓度的EPI也能保持BV不掉，从而显著降低了导通电阻。其中80~100V系列得益于精心调试的工艺，获得较高密度元胞的同时wafer可以减薄至100um(非taiko)，有效降低了衬底电阻；而150V系列则采用HDP工艺制得高密度元胞，显著降低了沟道电阻及降低了栅电荷。