氮化镓快充IC U8733L的工作原理

通常来讲，充电器输出功率的增加，充电器的体积也要相应扩大。因为内置GaN芯片的使用，快充充电器拥有小体积、高性能、协议多、节能高等特点，所以快充充电器比我们设想的要小、要薄。今天推荐的是一款集成E-GaN的高频高性能准氮化镓快充icU8733L，特别适应于快速充电器和适配器上！

氮化镓快充ic U8733L采用峰值电流控制模式，可以自适应的工作在QR和降频工作模式，从而实现全负载功率范围内的效率优化。在满载和重载工况下，系统工作在QR工作模式，可以大幅降低系统的开关损耗。芯片根据FB电压值调节谷底个数，同时为了避免系统在临界负载处的FB电压波动导致谷底数跳变，产生噪音，U8733L采用了谷底锁定工作模式在负载一定的情况下，导通谷底数稳定，系统无噪音。

随着负载的逐渐降低，系统导通的谷底个数逐渐增加，当谷底数超过6个时，不再检测谷底电压，系统进入降频工作模式，通过进一步降低开关频率，减小开关损耗，优化系统轻载效率。

氮化镓快充icU8733L集成高压E-Mode GaN FET，为了保障GaN FET工作的可靠性和高系统效率，芯片内置了高精度、高可靠性的驱动电路，驱动电压为VDRV(典型值6.4V)。EMI性能为高频交直流转换器的设计难点，为此U8733L通过DEM管脚集成了驱动电流分档配置功能。如图所示，通过配置DEM管脚分压电阻值，可以选择不同档位的驱动电流，进而调节GaNFET的开通速度，系统设计者可以获得最优的EMI性能和系统效率的平衡。具体分压电阻值可参照参数表。

U8733L系列还集成轻载SR应力优化功能，在驱动电流配置为第一、第二、第三档位时，当芯片工作于轻载模式时，将原边开通速度减半，减小空载时SR的Vds应力过冲。

GaN功率器件可以实现更高的功率密度和转换效率，从而缩小充电器的体积和重量，并提高充电速度和安全性。深圳银联宝科技自推出各式各样氮化镓快充ic后，受到了越来越多充电器客户和适配器客户的关注，原厂直销，供货稳定，更有一站式方案服务团队为您倾情服务，随时提供技术支持和疑惑解答！