32.768kHz晶振电容匹配指南

32.768kHz晶振电容匹配指南

选择32.768kHz晶振的电容大小是一个关键的考虑因素，它直接影响到晶振的稳定性和性能。在选择电容时，我们需要充分考虑晶振的电气参数、电路板的设计以及杂散电容的影响。

核心公式与原理如下：

负载电容计算公式

CL = (C1×C2)/(C1+C2) + Cs

C1/C2：对称外接电容；Cs：杂散电容（2～5pF）。

示例：CL=12.5pF且Cs=3pF时，C1=C2≈19pF（优选18pF/22pF后微调）。

然而，不同的电路板设计会产生不同的杂散电容值，因此在实际应用中还需要根据具体情况进行调整。通过调整外接电容的大小，我们可以找到使晶振处于最佳工作状态的电容值。

这就需要我们用专业的设备对晶振单体测试，对晶振上板测试，从而找到板子最佳的匹配电容，以获得最佳的工作效果。

华昕晶振设有专门的实验室，在项目阶段可以帮助客户完成晶体在板上的匹配实验，可以出具完整的测试匹配报告，可免费提供样品测试。