TPS62650-Q1 器件是一款高频同步降压 DC-DC 转换器 针对电池供电的便携式应用进行了优化。该 TPS62650-Q1 支持高达 800mA 的负载电流,并允许使用小型、低成本电感器和 电容器。
该器件非常适合由一个 单节锂离子电池。输出电压范围可通过 我^2^C 接口低至 0.75 V,该器件支持低压内核电源 用于智能手机和手持式计算机中的 DSP 和处理器的耗材。
*附件:tps62650-q1.pdf
TPS62650-Q1 以 6MHz 的稳压开关频率运行,并进入 效率优化的省电模式在轻负载电流下运行,以保持高效率 在整个负载电流范围内。在关断模式下,电流消耗降低至 小于 3.5 μA。
串行接口兼容 Standard、Fast/Fast Plus 和 High-Speed 模式 我^2^C 规范允许以高达 3.4 Mbps 的速度传输。这 通信接口用于动态电压调节,电压阶跃低至 12.5 mV,用于 设置输出电压或重新编程作模式(PFM/PWM 或强制 PWM),用于 实例。
特性
- 适用于汽车应用
- 符合 AEC-Q100 标准,结果如下:
- 器件温度等级 2:-40°C 至 +105°C 环境工作
温度范围 - 器件 HBM ESD 分类等级 H2
- 器件 CDM ESD 分类等级 C3B
- 器件温度等级 2:-40°C 至 +105°C 环境工作
- 6MHz 工作频率时效率为 86%
- 38μA 静态电流
- 宽 V
在范围:2.3 V 至 5.5 V - 6MHz 稳频工作频率
- 负载和线路瞬态
- ±2% PWM 直流电压精度
- 自动 PFM/PWM 模式切换
- 低纹波轻负载 PFM
- 我^2^C 兼容接口高达 3.4 Mbps
- 引脚可选输出电压 (VSEL)
- 内部软启动,<150μs 启动时间
- 电流过载和热关断保护
- 需要三个表面贴装外部元件(1 个 MLCC 电感器、
2 个陶瓷电容器) - 完整的 1 mm 以下元件轮廓解决方案
- 总解决方案尺寸 <13 mm^2^
- 采用 9 引脚 NanoFree (CSP) 封装
参数
方框图
1. 产品概述
TPS62650-Q1 是一款由 Texas Instruments 生产的 800mA、6MHz 高效率同步降压直流-直流转换器,专为电池供电的便携式应用设计。该转换器具有 I?C 兼容接口,支持动态电压调整,适用于智能手机、微处理器核心供电等场景。
2. 主要特性
- ?高效率?:在 6MHz 操作下可达 86%
- ?小封装?:采用 9 引脚 NanoFree? (CSP) 封装,总解决方案尺寸小于 13mm?
- ?宽输入电压范围?:2.3V 至 5.5V
- ?输出电压可调?:通过 I?C 接口或 VSEL 引脚在 0.75V 至 1.4375V 范围内调整
- ?低静态电流?:38μA(典型值)
- ?自动 PFM/PWM 模式切换?:根据负载电流自动切换工作模式以优化效率
- ?I?C 接口?:支持标准、快速及高速模式,最高传输速率可达 3.4Mbps
3. 功能描述
3.1 PFM/PWM 模式切换
- 在重载条件下,TPS62650-Q1 以 6MHz 的固定频率 PWM 模式工作。
- 在轻载条件下,自动切换到 PFM 模式以降低静态电流并提高效率。
3.2 I?C 接口
- 通过 I?C 接口可以动态调整输出电压,设置工作模式(PFM/PWM 或强制 PWM),以及监控电源状态。
- I?C 接口支持标准、快速、快速+和高速模式,兼容性好,传输速率高。
3.3 保护功能
- ?过流保护?:集成 P-通道 MOSFET 电流限制,防止短路和过载。
- ?热关断?:当结温超过 140°C 时自动关断以保护芯片。
- ?欠压锁定?:防止在低输入电压下误操作。
3.4 软启动
- 内置软启动电路,限制启动时的浪涌电流,保护输入电源和负载。
4. 应用领域
5. 设计指南
文档提供了详细的设计指南,包括:
- ?电感选择?:推荐电感值范围为 0.3μH 至 1.3μH,具体值需根据输出电流和纹波要求确定。
- ?输出电容选择?:推荐使用低 ESR 的陶瓷电容,容值范围为 4.7μF 至 10μF。
- ?布局考虑?:强调输入电容、电感和输出电容应尽可能靠近 IC 引脚,以减少寄生电感和电阻。
- ?I?C 接口设计?:提供了 I?C 总线布局和布线指南,以确保通信可靠性。
6. 封装与订购信息
TPS62650-Q1 提供 9 引脚 CSP 封装(YFF),具体封装类型和可订购信息请参考数据手册中的“封装选项附录”部分。
7. 注意事项
- 在设计过程中,应仔细选择合适的电感、电容和布局方案,以确保电路的稳定性和性能。
- 使用 I?C 接口进行编程和监控时,应遵循 I?C 总线规范,确保通信正常。
- 在高温或高功率应用场合,应注意散热设计,以防止芯片过热损坏。
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