Analog Devices Inc. EVAL-LT8418-xZ评估板采用LT8418,以半桥配置驱动两个100V增强型氮化镓 (eGaN) FET。该电路优化用作降压转换器,但也可用作升压转换器或由半桥组成的其他转换器拓扑。该评估电路提供高达10A的电流,具有良好的热管理功能。根据配置,驱动电路板需要单个或两个外部PWM信号。在单输入设置中,板上的死区时间电路生成补充信号并设置死区时间。在双输入设置中,死区时间电路被旁路。Analog Devices Inc. LT8418驱动器具有强大的0.2Ω下拉和0.6Ω上拉驱动器,可驱动两个100V GaN FET。它还集成有智能集成式自举开关,可从VCC 生成平衡自举电压,压差极低。LT8418设有分离栅极驱动器,可调节GaN FET的导通和关断转换率,以抑制振铃并优化EMI性能。
用户手册:
*附件:EVAL-LT8418-AZ 用户指南.pdf
*附件:EVAL-LT8418-BZ 用户指南.pdf
特性
- 集成LT8418采用半桥配置,可驱动2个100V增强型eGaN FET
- 提供高达10A的电流,具有良好的热管理
- 驱动电路板需要单个或两个外部PWM信号
- 0.2Ω下拉和0.6Ω上拉驱动器
- 智能集成式自举开关
- 符合RoHS标准
应用
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