Analog Devices EVAL-LTC7892-BZ评估板设计用于演示LTC7892 GaN FET控制器。LTC7892优化采用100V GaN FET,在500kHz时的工作输入电压范围为9V至36V。EVAL-LTC7892-BZ专门设计用于通过内部优化的自举开关和自适应时间控制安全高效地驱动高达1.4kW功率等级的GaN场效应晶体管。此外,该IC具有低IQ、高达3MHz可编程/可同步开关频率、扩频以及小型40引脚(6mmx6mm)侧面可湿QFN封装。
数据手册:*附件:Analog Devices Inc. EVAL-LTC7892-BZ评估板数据手册.pdf
adi EVAL-LTC7892-BZ提供高性能、高性价比的解决方案,可实现48V输出,并可轻松修改以调节1.2V至90V的输出电压。
特性
- GaN驱动技术针对GaN场效应晶体管进行了全面优化
- 输出电压高达100 V
- 宽V
IN范围:4V至60V,启动后工作电压低至1V - 无需捕获、夹钳或自举二极管
- 内部智能自举开关可防止高侧驱动器电源过度充电
- 电阻器可调死区时间
- 低工作I
Q:15μA - 分离输出栅极驱动器,可实现可调导通和关断驱动器强度
- 精确的可调驱动器电压和UVLO
- 可编程频率(100 kHz至3 MHz)
- 可同步频率(100kHz至3MHz)
- 扩频调频
- 40引脚(6mmx6mm)侧面可湿QFN封装
- 符合汽车应用类AEC-Q100标准
应用
- 汽车和工业电源系统
- 军用航空电子设备和医疗系统
- 电信电源系统
电路板连接
布局
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