UCC27201 具有 8V UVLO 和 TTL 输入的 3A、120V 半桥栅极驱动器数据手册-电子发烧友网

UCC2720x 系列高频 N 沟道 MOSFET 驱动器包括一个 120V 自举二极管以及具有独立输入的高侧和低侧驱动器，可实现最大的控制灵活性。这允许在半桥、全桥、双开关正激和有源钳位正激转换器中进行 N 沟道 MOSFET 控制。低侧和高侧栅极驱动器由独立控制，并在彼此的导通和关断之间匹配 1ns。
*附件：ucc27201.pdf

片上自举二极管消除了外部分立二极管。高侧和低侧驱动器均提供欠压锁定，如果驱动电压低于指定阈值，则强制输出为低电平。

UCC2720x 提供两个版本。UCC27200 具有高抗噪 CMOS 输入阈值，而 UCC27201 具有 TTL 兼容阈值。

特性

在高压侧和低压侧配置中驱动两个 N 沟道 MOSFET
HS 上的负电压处理（–5V）
最大启动电压为 120V
最大 VDD 电压为 20V
片上 0.65V VF、0.65Ω RD 自举二极管
22ns 传播延迟时间
3A 灌电流和 3A 拉电流输出电流
1000pF 负载时，上升时间 7ns 下降时间
1ns 延迟匹配
用于高压侧和低压侧驱动器的欠压锁定
额定温度范围为 –40°C 至 150°C

参数

方框图

一、产品概述

UCC1 是一款 0V、A/3A 半桥驱动器，适用于驱动高侧和低侧 N 沟道 MOSFET。该驱动器具备高噪声免疫 CMOS 输入阈值（UCC0 版本提供 TTL 兼容阈值）、V UVLO（欠压锁定）保护、独立的高侧和低侧输入以及快速传播延迟等特性，适用于太阳能电源优化器、微逆变器、电信和商用电源、在线和离线 UPS、储能系统以及电池测试设备等应用。

二、主要特性

?高电压处理能力?：最大自举电压 0V，最大 VDD 电压 0V。
?高电流驱动能力?：3A 沉电流和 A 源电流输出。
?快速响应?：ns 传播延迟，ns 上升时间和 ns 下降时间（0pF 负载）。
?独立输入控制?：高侧和低侧栅极驱动器具有独立输入，实现最大控制灵活性。
?负电压处理能力?：HS 引脚可处理 -V 负电压。
?热增强型封装?：提供 SOIC、PowerPAD SOIC 和 VSON 封装选项。

三、引脚配置与功能

?VDD?：正电源输入，为低侧栅极驱动器供电。
?VSS?：负电源终端，通常接地。
?HB?：高侧自举电源输入，连接自举电容的正极。
?HS?：高侧源连接，连接高侧 MOSFET 的源极和自举电容的负极。
?HO?：高侧栅极驱动器输出，连接高侧 MOSFET 的栅极。
?LI?：低侧输入，控制低侧栅极驱动器的输出。
?LO?：低侧栅极驱动器输出，连接低侧 MOSFET 的栅极。
?HI?：高侧输入，控制高侧栅极驱动器的输出。

四、电气特性

?工作电压范围?：VDD 为 8V 至 V，HB 为 VS 至 VDD + V。
?输入阈值?：UCC1 具有 TTL 兼容阈值，高电平输入阈值（VHIT）为 1.9V 至 2.7V，低电平输入阈值（VLIT）为 .V 至 .V。
?输出特性?：低电平输出电压（VOL/LOL）和高电平输出电压（VOH/HOH）分别为 .V 至 .V 和 VHB - 0.1V 至 VHB - .2V。
?传播延迟?：典型值为 2ns。
?UVLO 阈值?：VDD UVLO 阈值为 7.1V，具有 .V 迟滞；HB UVLO 阈值为 6.7V，具有 .V 迟滞。