TPS28226 具有 8V UVLO 的 4A、27V 半桥栅极驱动器，用于同步整流数据手册

这是一款高速驱动器，适用于具有自适应死区时间控制功能的 N 沟道互补驱动功率 MOSFET。该驱动器经过优化，适用于各种大电流单相和多相 DC-DC 转换器。这是一种提供高效率、小尺寸和低 EMI 辐射的解决方案。

通过高达 8.8V 的栅极驱动电压、14ns 自适应死区时间控制、14ns 传播延迟以及大电流 2A 拉电流和 4A 灌电流驱动能力，实现了这一效率。较低栅极驱动器的 0.4-Ω 阻抗将功率 MOSFET 的栅极保持在其阈值以下，并确保在高 dV/dt 相节点转换时没有击穿电流。由内部二极管充电的自举电容器允许在半桥配置中使用 N 沟道 MOSFET。
*附件：tps28226.pdf

特性

• 以 14ns 自适应死区时间驱动两个 N 沟道 MOSFET
• 宽栅极驱动电压：4.5 V 至 8.8 V，在 7 V 至 8 V 时效率最佳
• 宽电源系统组输入电压：3 V 至 27 V
• 宽输入 PWM 信号：2.0V 至 13.2V 幅度
• 能够以每相 ≥40A 的电流驱动 MOSFET
• 高频作：14ns 传播延迟和 10ns 上升/下降时间允许 F 西 南部 – 2兆赫
• 能够传播 <30ns 的输入 PWM 脉冲
• 低侧驱动器吸收导通电阻 （0.4 Ω） 可防止与 dV/dT 相关的击穿电流
• 用于功率级关断的 3 态 PWM 输入
• 节省空间的使能（输入）和电源良好（输出）信号位于同一引脚上
• 热关断
• UVLO 保护
• 内部自举二极管
• 经济型 SOIC-8 和耐热性能增强型 3mm x 3mm DFN-8 封装
• 高性能替代流行的 3 态输入驱动器

参数

方框图

一、产品概述

?TPS6?是一款高性能的A同步MOSFET驱动器，专为高速、高效率的DC-DC转换器设计。它支持多相位控制，具有宽输入电压范围和自适应死区时间控制功能，适用于桌面和服务器VRM、笔记本电源适配器、同步整流隔离电源供应等多种应用。

二、主要特性

• ?双N沟道MOSFET驱动?：可同时驱动高侧和低侧两个N沟道MOSFET。
• ?高速性能?：ns传播延迟和ns上升/下降时间，支持高达2MHz的开关频率。
• ?宽输入范围?：PWM信号输入范围.V至.V，驱动电压范围.V至8.8V，最佳效率点在7V至V。
• ?自适应死区时间控制?：防止dV/dt引起的穿透电流，提升系统效率。
• ?3态PWM输入?：支持功率级关断，提高系统可靠性。
• ?热关断和欠压锁定保护?：增强系统安全性和稳定性。
• ?经济封装?：提供SOIC-8和DFN-两种封装选项。

三、引脚配置与功能

• ?BOOT?：自举电源引脚，为高侧栅极驱动提供电荷。
• ?EN/PG?：使能/电源良好输入/输出引脚，控制驱动器的工作状态。
• ?GND?：地引脚，所有信号的参考地。
• ?LGATE?：低侧栅极驱动输出，连接至低侧功率MOSFET的栅极。
• ?PHASE?：相位引脚，连接至高侧MOSFET的源极和低侧MOSFET的漏极。
• ?PWM?：PWM信号输入引脚，控制驱动器的输出。
• ?UGATE?：高侧栅极驱动输出，连接至高侧功率MOSFET的栅极。
• ?VDD?：驱动器供电电压输入引脚。

四、电气特性

• ?输入电压范围?：PWM信号输入范围.V至.V，VDD供电电压范围4.5V至.V。
• ?输出电流?：UGATE输出可达2A源电流和A沉电流，LGATE输出可达4A沉电流。
• ?死区时间?：典型值为4ns，确保高侧和低侧MOSFET不会同时导通。
• ?热关断阈值?：结温超过°C时自动关断，低于0°C时恢复工作。

五、应用信息

• ?典型应用?：多相位DC-DC转换器、VRM、同步整流电路等。
• ?设计考虑?：布局时应尽量减小寄生电感，驱动器应靠近MOSFET放置，旁路电容应靠近VDD引脚。
• ?系统实例?：提供了单相位POL调节器、同步整流驱动电路、多相位同步降压转换器等系统实例。

六、封装与订购信息

• ?封装选项?：SOIC-和DFN-8两种封装。
• ?订购信息?：提供了详细的订购代码和封装信息。