UCC27516 和 UCC27517 单通道、高速、低侧栅极驱动器器件可以 有效驱动 MOSFET 和 IGBT 功率开关。使用本质上最小化 击穿电流、UCC27516 和 UCC27517 可以拉出和吸收高峰值电流脉冲 电容负载提供轨到轨驱动能力和极小的传播延迟, 通常为 13 ns。
UCC27516 和 UCC27517 提供 4A 拉电流、4A 灌电流(对称驱动)峰值驱动 VDD = 12 V 时的电流能力。
*附件:ucc27517.pdf
UCC27516 和 UCC27517 设计用于在 4.5 至 18 V 的宽 VDD 范围内工作 以及 –40°C 至 140°C 的宽温度范围。 内部欠压锁定 (UVLO) 电路 VDD 引脚将输出保持在 VDD 工作范围之外的低电平。能够在低电压下工作 低于 5 V 的水平以及一流的开关特性特别适合 用于驱动新兴的宽带隙功率开关器件,如 GaN 功率半导体 设备。
UCC27516 和 UCC27517 器件采用双输入设计,可提供以下灵活性 使用相同的方式实现反相(IN– 引脚)和同相(IN+ 引脚)配置 装置。IN+ 或 IN– 引脚可用于控制驱动器输出的状态。未使用的 输入引脚可用于启用和禁用功能。为安全起见,内部上拉和 输入引脚上的下拉电阻器确保在输入引脚输入时输出保持低电平 floating 条件。因此,未使用的 input pin 不会悬空,必须正确偏置到 确保 Driver Output 处于启用状态,以便正常作。
UCC27516 和 UCC27517 器件的输入引脚阈值基于 TTL 和 CMOS 兼容的低电压逻辑,它是固定的,独立于 VDD 电源电压。宽 高阈值和低阈值之间的滞后提供了出色的抗噪性。
特性
- 低成本栅极驱动器器件,可出色地替代
NPN 和 PNP 分立解决方案 - 4A 峰值源电流和 4A 峰灌电流对称驱动
- 快速传播延迟(典型值为 13ns)
- 快速上升和下降时间(典型值为 9ns 和 7ns)
- 4.5V 至 18V 单电源范围
- 在 VDD UVLO 期间,输出保持低电平(确保在上电和断电时
无毛刺运行) - TTL 和 CMOS 兼容输入逻辑阈值 (与电源电压无关
) - 具有高抗噪能力的迟滞逻辑阈值
- 双输入设计(可选择反相 (IN– 引脚) 或同相 (IN+ 引脚) 驱动器配置)
- 未使用的 Input Pin 可用于 Enable 或 Disable 功能
- 当 Input 引脚悬空时,输出保持低电平
- 输入引脚绝对最大电压电平不受 VDD 引脚偏置电源电压限制
- 工作温度范围为 –40°C 至 140°C
- 5 引脚 DBV (SOT-23) 和 6 引脚 DRS(3mm ×
3mm WSON,带外露散热焊盘)封装选项
参数
方框图
一、产品概述
- ?型号?:UCC
- ?类型?:单通道、高速、低侧栅极驱动器
- ?特点?:
- A峰值源和沉电流能力
- TTL和CMOS兼容输入逻辑阈值
- 宽VDD工作范围:.V至V
- 输出在VDD欠压锁定(UVLO)期间保持低电平
- 低传播延迟:典型值ns
- 反相/非反相输入配置选项
- 未使用输入引脚可用作使能或禁用功能
二、应用领域
三、引脚配置与功能
- ?VDD?:偏置供电输入
- ?GND?:地,所有信号参考此引脚
- ? IN+ ?:非反相输入,当用于反相配置时接地
- ? IN- ?:反相输入,当用于非反相配置时接VDD
- ?OUT?:栅极驱动电流输出
四、电气特性
- ?VDD工作范围?:.V至V
- ?输入阈值?:
- VIN_H(输入高阈值):典型值.V(VDD=V时)
- VIN_L(输入低阈值):典型值.V(VDD=V时)
- 输入滞回:典型值V
- ?输出特性?:
- 峰值源/沉电流:A
- 高电平输出电压(VOH):I OUT = - mA时,mV至mV(VDD=.V至V)
- 低电平输出电压(VOL):I OUT = mA时,mV至mV(VDD=.V至V)
- ?传播延迟?:
- IN+到输出延迟:典型值ns(VDD=V,C LOAD = .nF)
- IN-到输出延迟:典型值ns(VDD=V,C LOAD = .nF)
五、保护功能
- ?UVLO?:欠压锁定功能,当VDD电压低于UVLO阈值时,输出被拉低。
六、设备功能模式
- ?反相/非反相模式?:通过连接IN+或IN-到VDD或GND来选择。
- ?使能/禁用功能?:未使用的输入引脚(IN+或IN-)可通过连接到VDD或GND来实现使能或禁用功能。
七、典型应用
- 提供了典型应用电路图,展示了如何使用UCC驱动功率MOSFET。
- 详细描述了设计要求和设计过程,包括输入输出逻辑配置、VDD偏置供电电压、峰值源和沉电流、传播延迟、使能功能等考虑因素。
八、布局指南
- 推荐将驱动器尽可能靠近功率MOSFET放置,以最小化栅极驱动回路的电感。
- 推荐在VDD和GND之间放置低ESR陶瓷电容器,以改善噪声滤波。
- 提供了布局示例和热考虑因素。
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