UCC27212 具有 5V UVLO 和负电压处理能力的 4A、120V 半桥栅极驱动器数据手册

UCC27212器件具有 3.7A 拉电流和 4.5A 灌电流的峰值输出电流，能够驱动大功率 MOSFET。该器件具有一个片上额定电压为 120V 的自举二极管，无需外部分立二极管。输入结构可以直接处理 –10V，这提高了稳健性，并且不受电源电压的影响。UCC27212 提供 5V 关断 UVLO，有助于降低功率损耗并增加输入滞后，从而允许与模拟或数字 PWM 控制器接口，具有增强的抗噪能力。UCC27212（HS 引脚）的开关节点可以处理最大 –（24 – VDD）V，从而可以保护高侧通道免受固有负电压的影响。
*附件：ucc27212.pdf

特性

• 3.7A 拉电流、4.5A 灌电流输出电流
• 最大启动电压 120V DC
• 7V 至 17V VDD 工作范围
• 20V ABS 最大 VDD 工作范围
• 5V 关断欠压锁定 （UVLO）
• 输入引脚可承受 –10V 至 +20V 电压
• 7.2ns 上升和 5.5ns 下降时间 （1000pF 负载）
• 20ns 典型传播延迟
• 4ns 典型延迟匹配
• 额定结温范围为 –40°C 至 +150°C

参数

方框图

UCC2是一款由Texas Instruments（TI）生产的V、3.7A/.A半桥驱动器，具有5V欠压锁定（UVLO）功能。该驱动器设计用于驱动N沟道MOSFET，适用于太阳能功率优化器、微逆变器、电信和商用电源、在线和离线UPS、储能系统和电池测试设备等应用。

主要特性

• ?高电流能力?：.A源电流和4.5A沉电流，适用于驱动大功率MOSFET。
• ?高电压支持?：最大自举电压可达0V DC，满足高电压应用需求。
• ?宽供电范围?：VDD供电电压范围为V至V（绝对最大值为0V），具有5V UVLO功能以降低功耗。
• ?快速响应?：7.2ns上升时间和5.5ns下降时间（0pF负载），ns典型传播延迟，ns典型延迟匹配。
• ?鲁棒性输入?：输入引脚可直接承受-0V至+V的电压，且独立于供电电压。
• ?内置自举二极管?：0V额定自举二极管，无需外部离散二极管。
• ?高dV/dt免疫?：优异的dV/dt免疫能力，保护驱动器免受高电压尖峰影响。
• ?宽温度范围?：支持-0°C至+°C的结温范围，适用于各种环境条件。

应用领域

• ?太阳能功率优化器?：优化太阳能板输出，提高系统效率。
• ?微逆变器?：将太阳能板产生的直流电转换为交流电。
• ?电信和商用电源?：为通信设备和商用设备提供稳定可靠的电源。
• ?在线和离线UPS?：确保电力供应的连续性和稳定性。
• ?储能系统?：管理电池储能系统的充放电过程。
• ?电池测试设备?：用于电池性能和耐久性的测试。

功能描述

输入阶段

• 输入引脚具有kΩ的标称阻抗和约4pF的输入电容，提供.V的上升阈值和1.6V的下降阈值，具有足够的输入迟滞以避免噪声引起的抖动。

欠压锁定（UVLO）

• 监测VDD和VHB至VHS的差分电压，当电压低于指定阈值时关闭输出。VDD的UVLO阈值为.V，具有.V的迟滞；VHB的UVLO阈值为5.3V，具有0.3V的迟滞。

电平移位

• 电平移位电路将高侧输入信号转换为相对于HS引脚的HO输出信号，提供良好的延迟匹配。

自举二极管

• 内置自举二极管提供快速恢复时间、低二极管电阻和电压额定裕量，确保高效可靠的高侧驱动。

输出阶段

• 输出阶段具有高转换速率、低电阻和高峰值电流能力，允许高效切换功率MOSFET。低侧输出阶段参考于VDD至VSS，高侧输出阶段参考于VHB至VHS。

典型应用

UCC2的典型应用包括驱动半桥和全桥拓扑结构中的N沟道MOSFET。设计时应考虑电源耗散、输入和输出滤波、布局布线等因素，以确保驱动器的稳定可靠运行。

电源推荐

推荐VDD供电电压范围为V至V，同时需要为VDD和VHB供电电压添加适当的旁路电容，以减少噪声干扰并提高驱动器的稳定性。

封装与订购信息

UCC2采用WSON（DPR）封装，提供多种订购选项。用户可根据具体需求选择合适的封装和型号。