UCC2154x 是一款隔离式双通道栅极驱动器系列,具有高达 4A/6A 的峰值拉/灌电流,可驱动功率 MOSFET、IGBT 和 GaN 晶体管。采用 DWK 封装的 UCC2154x 还提供 3.3mm 的最小通道间距,从而实现更高的总线电压。
*附件:ucc21540.pdf
UCC2154x 系列可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个半桥驱动器。输入侧通过 5.7kVRMS 隔离栅与两个输出驱动器隔离,具有最小 125V/ns 的共模瞬态抗扰度 (CMTI)。
保护功能包括:电阻器可编程死区时间、同时关闭两个输出的禁用功能,以及输入引脚上高达 –5V 尖峰的负电压处理,持续 50 ns。所有电源均具有 UVLO 保护。
特性
- 宽体封装选项
- DW SOIC-16:引脚 2 引脚转 UCC21520
- DWK SOIC-14:3.3 mm Ch-2-Ch 间距
- 高达 4A 的峰值拉电流和 6A 峰值灌电流输出
- 高达 18V VDD 输出的驱动电源
- 5V 和 8V VDD UVLO 选项
- CMTI 大于 125V/ns
- 切换参数:
- 33ns 典型传播延迟
- 6ns 最大脉宽失真
- 10μs 最大 VDD 上电延迟
- 电阻器可编程死区时间
- TTL 和 CMOS 兼容输入
- 安全相关认证(计划):
- 符合 DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17) 的 8000VPK 增强型隔离
- 5700VRMS 隔离,持续 1 分钟,符合 UL 1577 标准
- 符合 GB4943.1-2022 的 CQC 认证
参数
方框图
一、产品概述
UCC0是一款隔离型双通道栅极驱动器,设计用于驱动MOSFET、IGBT和GaN晶体管。该系列提供多种封装选项,包括DW SOIC-和DWK SOIC-,并支持高达A的峰值源电流和6A的峰值沉电流。
二、主要特性
- ?高隔离电压?:输入侧与输出侧之间通过5.7-kV RMS的隔离屏障隔离。
- ?宽电压范围?:支持5.5V VCCI和最高V的VDD输出驱动电压。
- ?高CMTI?:共模瞬态免疫(CMTI)大于V/ns。
- ?可编程死区时间?:通过DT引脚连接外部电阻实现死区时间的编程。
- ?多种保护功能?:包括欠压锁定(UVLO)、可编程死区、禁用输入等。
- ?认证与合规?:计划获得多项安全相关认证,如0V PK的DIN EN IEC 7-(VDE -7)隔离标准。
三、应用领域
四、功能描述
- ?输入与输出逻辑?:输入信号兼容TTL和CMOS逻辑,输出具有高速开关能力。
- ?输出级结构?:采用P-channel和N-channel MOSFET结合的pull-up结构,提供高峰值源电流。
- ?UVLO保护?:VCCI和VDDA/VDDB均具有UVLO保护,确保在电压不足时安全关闭输出。
- ?可编程死区时间?:通过DT引脚实现,防止上下桥臂直通。
- ?禁用功能?:DIS引脚拉高时可同时关闭两个输出。
五、典型应用
文档提供了UCC0在半桥配置中的典型应用电路,包括设计要求和详细设计步骤,如输入滤波器设计、死区时间电阻和电容选择、外部自举二极管选择、栅极电阻选择、功率损耗估计、结温估计等。
六、电源推荐
- ?VCCI?:推荐电压范围为V至5.5V,需连接旁路电容。
- ?VDDA/VDDB?:推荐电压范围为6V至8V,具体取决于被驱动功率器件的最大栅极电压。需连接旁路电容以支持高峰值电流。
七、布局指南
- ?组件放置?:栅极驱动器应尽可能靠近功率晶体管,以减小寄生电感。
- ?旁路电容?:VCCI、VDDA和VDDB的旁路电容应尽可能靠近相应引脚,以减小寄生阻抗。
- ?地平面?:为高电流路径提供低阻抗地平面,以减小噪声。
- ?隔离性能?:确保初级侧和次级侧之间的隔离性能,避免在驱动器下方放置PCB迹线或铜层。
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