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UCC21540 5.7kVrms 4A/6A双通道隔离栅极驱动器数据手册

科技绿洲 ? 2025-05-24 10:10 ? 次阅读
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UCC2154x 是一款隔离式双通道栅极驱动器系列,具有高达 4A/6A 的峰值拉/灌电流,可驱动功率 MOSFETIGBT 和 GaN 晶体管。采用 DWK 封装的 UCC2154x 还提供 3.3mm 的最小通道间距,从而实现更高的总线电压。
*附件:ucc21540.pdf

UCC2154x 系列可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个半桥驱动器。输入侧通过 5.7kVRMS 隔离栅与两个输出驱动器隔离,具有最小 125V/ns 的共模瞬态抗扰度 (CMTI)。

保护功能包括:电阻器编程死区时间、同时关闭两个输出的禁用功能,以及输入引脚上高达 –5V 尖峰的负电压处理,持续 50 ns。所有电源均具有 UVLO 保护。

特性

  • 宽体封装选项
    • DW SOIC-16:引脚 2 引脚转 UCC21520
    • DWK SOIC-14:3.3 mm Ch-2-Ch 间距
  • 高达 4A 的峰值拉电流和 6A 峰值灌电流输出
  • 高达 18V VDD 输出的驱动电源
    • 5V 和 8V VDD UVLO 选项
  • CMTI 大于 125V/ns
  • 切换参数:
    • 33ns 典型传播延迟
    • 6ns 最大脉宽失真
    • 10μs 最大 VDD 上电延迟
  • 电阻器可编程死区时间
  • TTL 和 CMOS 兼容输入
  • 安全相关认证(计划):
    • 符合 DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17) 的 8000VPK 增强型隔离
    • 5700VRMS 隔离,持续 1 分钟,符合 UL 1577 标准
    • 符合 GB4943.1-2022 的 CQC 认证

参数
image.png

方框图
image.png

一、产品概述

UCC0是一款隔离型双通道栅极驱动器,设计用于驱动MOSFET、IGBT和GaN晶体管。该系列提供多种封装选项,包括DW SOIC-和DWK SOIC-,并支持高达A的峰值源电流和6A的峰值沉电流。

二、主要特性

  • ?高隔离电压?:输入侧与输出侧之间通过5.7-kV RMS的隔离屏障隔离。
  • ?宽电压范围?:支持5.5V VCCI和最高V的VDD输出驱动电压。
  • ?高CMTI?:共模瞬态免疫(CMTI)大于V/ns。
  • ?可编程死区时间?:通过DT引脚连接外部电阻实现死区时间的编程。
  • ?多种保护功能?:包括欠压锁定(UVLO)、可编程死区、禁用输入等。
  • ?认证与合规?:计划获得多项安全相关认证,如0V PK的DIN EN IEC 7-(VDE -7)隔离标准。

三、应用领域

四、功能描述

  • ?输入与输出逻辑?:输入信号兼容TTL和CMOS逻辑,输出具有高速开关能力。
  • ?输出级结构?:采用P-channel和N-channel MOSFET结合的pull-up结构,提供高峰值源电流。
  • ?UVLO保护?:VCCI和VDDA/VDDB均具有UVLO保护,确保在电压不足时安全关闭输出。
  • ?可编程死区时间?:通过DT引脚实现,防止上下桥臂直通。
  • ?禁用功能?:DIS引脚拉高时可同时关闭两个输出。

五、典型应用

文档提供了UCC0在半桥配置中的典型应用电路,包括设计要求和详细设计步骤,如输入滤波器设计、死区时间电阻和电容选择、外部自举二极管选择、栅极电阻选择、功率损耗估计、结温估计等。

六、电源推荐

  • ?VCCI?:推荐电压范围为V至5.5V,需连接旁路电容。
  • ?VDDA/VDDB?:推荐电压范围为6V至8V,具体取决于被驱动功率器件的最大栅极电压。需连接旁路电容以支持高峰值电流。

七、布局指南

  • ?组件放置?:栅极驱动器应尽可能靠近功率晶体管,以减小寄生电感。
  • ?旁路电容?:VCCI、VDDA和VDDB的旁路电容应尽可能靠近相应引脚,以减小寄生阻抗。
  • ?地平面?:为高电流路径提供低阻抗地平面,以减小噪声。
  • ?隔离性能?:确保初级侧和次级侧之间的隔离性能,避免在驱动器下方放置PCB迹线或铜层。
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