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STM32驱动SD NAND(贴片式SD卡)全测试:GSR手环生物数据存储的擦写寿命与速度实测

MK米客方德 ? 2025-05-14 14:07 ? 次阅读
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智能皮电手环及数据存储技术不断迭代的当下,主控 MCU STM32H750与存储 SD NAND MKDV4GIL-AST的强强联合,正引领行业进入全新发展阶段。二者凭借低功耗、高速读写与卓越稳定性的深度融合,以及高容量低成本的突出优势,成为大规模生产场景下极具竞争力的数据存储解决方案。?

在对能耗极为敏感的智能穿戴设备、便携式电子产品领域,能源续航直接决定用户体验与设备竞争力。STM32H750与 SD NAND MKDV4GIL-AST构建的低功耗架构,通过智能电源管理与高效数据处理机制,将系统能耗降低 30%以上。以智能皮电手环为例,该组合可使设备续航时间延长至 14天,减少频繁充电带来的使用困扰,不仅显著提升用户体验,更使设备整体能耗成本降低 25%,实现节能与经济性的双重突破。?

在数据处理效率方面,这套黄金搭档展现出强大实力。SD NAND MKDV4GIL-AST在 STM32H750的驱动下,顺序读取速度可达 30MB/s,顺序写入速度达 20MB/s,能够快速捕捉传感器产生的海量数据,面对每秒数千次的传感器数据采集,二者协同可实现数据零延迟存储,在智能终端数据处理场景下,更能大幅提升系统响应速度,有力保障系统稳定流畅运行。?

Test Tool & Environment

1. H2 test
2. Card Reader : Transcend TS - RDP5K (GL834)
3. Win7 OS
4. Agilent U1252B
SD NAND:MKDV4GIL-ASTStandby Current (uA)

Operating Current (mA)

Throughput (MB/s)

Item

ReadWriteReadWrite

#1

131

33.1

41.5

22.3

10.2

#2

125

28.2

38.6

18.1

10

#3

128

31.4

40.1

21.8

10.1

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STM32H750基于ARM? Cortex?-M7内核的高性能超值系列MCU

卓越性能

在 400 MHz主频下,从 Flash执行程序时,STM32H750超值系列可实现 2020 CoreMark/856 DMIPS的出色性能。其 L1缓存(16 KB指令缓存 + 16 KB数据缓存)保障零等待执行,即便使用外部存储器也无损性能。此外,DSP指令集与双精度 FPU进一步拓展了应用范畴。


强化安全

该系列集成加密 /哈希处理器,对 AES - 128、AES - 192、AES - 256加密进行硬件加速,同时支持 GCM、CCM、三重 DES及 MD5、SHA - 1、SHA - 2 等哈希算法。在现场初始编程或固件升级时,提供身份验证安全服务,有力保护软件 IP。

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高效能效

电源域架构可将不同电源域设为低功耗模式,实现能效优化。主稳压器具备电压调节功能,在运行和停止模式下为内核提供不同电压范围。器件还内置 USB稳压器和备份稳压器,为片内 PHY供电。支持最高 125°C结温,即便环境温度升高,也能保障内核与外设性能正常发挥。运行模式(外设关闭),VDD = 3.3 V、25 °C时,典型功耗 263 μ/MHz;待机模式(低功耗模式)下,典型功耗仅 4 μA。

图形处理优势

新型 LCD - TFT控制器借助 Chrom ART Accelerator?技术,支持双层图形处理。该图形加速器使图形内容创建速度提升至仅靠内核运行时的两倍,不仅能高效实现 2-D原始数据复制,还支持图像格式转换、图像混合(透明度混合)等功能,大幅提升图形处理速度,释放更多 MCU内核带宽供其他应用。此外,还嵌入 1个 JPEG硬件加速器,可快速进行 JPEG编解码,减轻 CPU负担。



丰富集成特性

音频方面配备 2个专用音频 PLL、3个全双工 I2S接口、1个支持时分多路复用(TDM)模式的新串行音频接口(SAI)以及 1个 DFSDM(用于 Sigma - Delta调制器或 MEMS麦克风的数字滤波器) 。

通信接口多达 35个,包括 4个 UART、4个 12.5 Mb/s的 USART接口、1个低功耗 UART、6个 100 Mb/s的 SPI接口、4 个带新型可选数字滤波功能的 1 MHz I?C接口、2个 FD - CAN、2个 SDIO、带片上 PHY的 USB 2.0全速设备 /主机 / OTG控制器、1个 USB2.0高速 /全速设备 /主机 / OTG控制器(含片上全速 PHY和 ULPI)、以太网 MAC、SPDIF - IN、HDMI - CEC、摄像头接口、单线协议接口和 MDIO从接口 。

模拟模块

拥有 2个 12位 DAC、3个最高 16位分辨率(3.6 Msample/s)的快速 ADC,以及 22个 16位和 32位定时器(16位高分辨率定时器运行频率高达 400 MHz)。灵活存储控制器带 32位并行接口,支持 Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR、NAND和 SDRAM等存储器扩展,也可通过双模 Quad - SPI从外部串行 Flash执行代码。还具备模拟随机数发生器。

STM32H750超值系列提供 128 KB Flash 和 1 MB分散架构 SRAM,包括 192 KB TCM RAM(64 KB ITCM RAM和 128 KB DTCM RAM,用于关键程序和数据)、512 KB、288 KB、64 KB用户 SRAM 以及 4 KB备份域 SRAM。封装形式采用 BGA和 LQFP规范,有 LQFP100、UFBGA176和 TFBGA240引脚类型。

存储SD NAND(贴片式T卡): MKDV4GIL-AST SD NAND SMART功能

实时监控

SD NAND SMART功能能够在设备使用过程中不间断地监控其性能与健康状况。它可实时反馈编程和擦除周期、备用块状态、预计剩余使用寿命等关键信息。借助这种实时监测机制,用户能尽早察觉潜在问题或设备磨损迹象,进而提前采取应对措施,有效降低因设备故障导致的数据丢失风险。

统计分析辅助决策

SMART功能所提供的数据是用户进行合理规划的重要依据。以医疗、工业等领域为例,用户通过掌握 SD NAND/SD卡的剩余使用寿命、编程和擦除周期、备用块状态等数据,可合理安排设备维修或开展预防性维护工作,保障相关设备始终处于最佳运行状态,维持系统的稳定性。

保障数据完整性

该功能可大幅降低设备意外故障发生的概率,确保数据收集工作稳定、连续地进行。用户通过 SMART功能提前发现潜在风险,能及时采取行动保护重要数据,避免因 SD NAND/SD卡故障而造成数据丢失,守护数据的完整性。

提升安全性与可靠性

在数据安全至关重要的场景下,SD SMART功能为用户增添了一层安全保障。用户持续了解 SD NAND/SD卡的健康状况,可减少因设备故障或数据损坏引发的数据泄露风险。这对于处理高度敏感数据的行业意义重大,有助于维护行业信誉与用户信任,从数据安全层面显著提升了 SD NAND/SD卡的安全性和可靠性,切实保护用户隐私与数据安全。

SD NAND SMART数据读取方法及说明(MK MKDV4GIL-AST为例)HOST下指令为 CMD56,参数为 0x00000001,发送该指令后,可获取 1扇区数据。

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SD NAND的两种总线模式:SDIO与 SPI的差异与应用

嵌入式存储领域,SD NAND存储设备凭借灵活的通信模式备受青睐,其支持的 SDIO模式与 SPI模式在驱动方式、传输特性及应用场景上各有千秋。

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从驱动模式来看,SPI模式采用简洁的 4线制通信架构,包括片选信号(CS)、数据输入线(DI)、时钟线(CLK)和数据输出线(DO)。在主从架构下,SPI模式实现全双工数据交互,主控设备能通过 CS信号精准控制每个 SD NAND设备,简单直接的通信方式使其易于集成。SDIO模式则基于 6线制架构,涵盖时钟线(CLK)、命令线(CMD)和 4条数据线(DAT0~DAT3) 。相比 SPI,SDIO模式拥有更丰富的命令集,支持高效的多设备管理机制,在 4位数据传输时,理论带宽优势明显。

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传输模式上,SPI模式以串行数据传输为核心,支持独立的序列输入和输出,特别适合接口资源紧张的单片机系统。虽然其传输速率不及 SD模式,但凭借协议简单、兼容性强的特点,成为嵌入式设备常用选择。1位 SD模式采用指令与数据通道分离设计,通过 CMD线传输指令,DAT0线进行数据传输,独特的传输协议格式确保了数据传输的高可靠性,适用于对稳定性要求严苛的应用场景。4位 SD模式在 1位 SD模式基础上,扩展 DAT1~DAT3数据线,实现 4位并行传输,通过引脚功能重配大幅提升数据传输带宽,能满足对读写速度要求极高的存储应用,但需要主控芯片具备相应 SDIO接口支持。

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在实际应用中,SD NAND设备可通过特定初始化流程自由选择工作模式。尽管 4位 SDIO模式理论传输速率出色,但考虑到 SPI模式引脚占用少、协议简洁的特性,目前在单片机系统的 SD NAND读写操作中,SPI模式依然占据主流地位 。开发者可根据具体应用场景的需求,如对传输速率、接口资源、可靠性的不同侧重,灵活选择 SD NAND的工作模式,充分发挥其性能优势。

皮肤电测量的原理与操作要点如下:

测量原理

测量过程并不复杂。首先,将两个电极安置在人体对情绪变化较为敏感的部位。由于人体汗腺分布广泛,像手指、手掌、脚掌等区域,汗腺活动相对更为活跃,常作为电极放置的优选位置。不过,具体放置位置还需综合考量电极材料以及实际测量任务来确定 。

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安置好电极后,向其施加一个低恒定电压。此时,通过测量两个电极之间的电压差,就能获取相关的皮肤电数据。这是因为当人体处于不同情绪状态时,汗腺分泌活动会发生改变,进而影响皮肤表面的电阻或电导特性,而电压差的变化恰恰能反映这种特性改变。

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采样率相关

在采样率方面,皮肤电的采样率最高可达 2000Hz。但在一般情况下,1 - 10Hz的采样率足以满足需求。然而,若要与其他生理信息(如心率)同步采集时,为确保数据的准确性和匹配度,则可能需要采用更高的采样率。

  • 皮肤电特性:皮肤的汗腺活动会影响皮肤表面的电阻和电导特性。当人体处于不同的生理和心理状态时,汗腺分泌活动会发生变化,进而导致皮肤电阻或电导产生相应改变。一般来说,当人处于紧张、兴奋、焦虑等情绪状态或受到外界刺激时,交感神经兴奋,汗腺分泌增加,皮肤表面的水分和电解质增多,使得皮肤电导升高,电阻降低。
  • 传感器工作原理:智能皮电手环通常采用一对电极来测量皮肤电反应。这对电极与皮肤接触,形成一个闭合电路。当有微小电流通过皮肤时,电极可以测量出皮肤两端的电压变化,进而根据欧姆定律(\(I = V/R\),其中I是电流,V是电压,R是电阻)计算出皮肤的电阻或电导值。为了确保测量的准确性和稳定性,电极通常采用特殊的材料,如银 /氯化银电极,以减少电极极化和噪声干扰。
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  • 信号处理与转换:传感器测量到的皮肤电信号通常是非常微弱的,且夹杂着各种噪声和干扰。因此,需要通过一系列的信号处理电路对原始信号进行放大、滤波、模数转换等处理。放大电路将微弱的电信号放大到可测量的范围;滤波电路则用于去除噪声和干扰,提高信号的质量;模数转换电路将模拟信号转换为数字信号,以便微控制器进行处理和分析。
  • 数据处理与分析:经过处理的数字信号被传输到智能皮电手环的微控制器或芯片中,微控制器根据预设的算法对数据进行分析和处理。这些算法可以根据皮肤电信号的变化特征,如幅值、频率、变化率等,来推断人体的生理和心理状态。例如,通过分析皮肤电信号的波动情况,可以判断用户是否处于应激状态、情绪是否发生变化等。一些智能皮电手环还可能结合其他传感器的数据,如心率、加速度等,进行更全面的生理状态监测和分析。

通过上述原理,智能皮电手环能够实时监测人体的皮肤电反应,为用户提供有关自身生理和心理状态的信息,可应用于医疗健康、运动监测、心理研究等多个领域。

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