TPS22901、TPS22902 和 TPS22902B 都是小的、低导通电阻 (r 上 ) 负载开关。这些器件包含一个 P 沟道 MOSFET,可在 1.0 V 至 3.6 V 的输入电压范围内工作。该开关由开/关输入 (ON) 控制,该输入可以直接与低压控制信号连接。在TPS22902和TPS22902B中,增加了一个 88-Ω 片上负载电阻器,用于在开关关闭时进行输出快速放电。
*附件:tps22901.pdf
TPS22901、TPS22902 和 TPS22902B 采用间距为 0.4mm 的节省空间的 4 引脚 DSBGA (YFP) 封装。这些器件的特性是在 –40°C 至 85°C 的自由空气温度范围内工作。
特性
- 集成 P 沟道负载开关
- 低输入电压:1 V 至 3.6 V
- 导通电阻 (典型值)
- r
上V 时 = 78 mΩ在= 3.6 伏 - r
上V 时 = 93 mΩ在= 2.5 伏 - r
上V 时 = 109 mΩ在= 1.8 伏 - r
上V 时 = 146 mΩ在= 1.2 伏
- r
- 500 mA 最大连续开关电流
- 静态电流:1.8 V 时为 82 nA
- 关断电流:1.8 V 时为 44 nA
- 低控制输入阈值支持使用 1.2V、1.8V、2.5V 和 3.3V 逻辑
- 受控转换速率以避免浪涌电流
- t
rV 时 = 40 μs在= 1.8 伏 (TPS22901/2) - t
rV 时 = 220 μs在= 1.8 伏 (TPS22902B)
- t
- 快速输出放电 (TPS22902/2B)
- ESD 性能测试符合 JESD 22 标准
- 2000-V 人体模型(A114-B,II 类)
- 1000V 充电器件模型 (C101)
- 四引脚晶圆芯片级 DSBGA 封装
- 0.8mm × 0.8mm、0.4mm 间距、0.5mm 高度 (YFP)
参数
方框图
. 产品概述
TPS 是一款集成了 P 通道 MOSFET 的负载开关,适用于低电压应用。该器件提供低导通电阻和受控的开机时间,以避免浪涌电流,并支持多种逻辑电平控制。TPS 特别适用于个人数字助理(PDAs)、手机、GPS 设备、MP 播放器等便携式电子设备。
. 主要特性
- ?低输入电压范围?:. V 至 . V
- ?低导通电阻?:
- mΩ(典型值)at V_IN = . V
- mΩ(典型值)at V_IN = . V
- mΩ(典型值)at V_IN = . V
- mΩ(典型值)at V_IN = . V
- ?最大连续开关电流?: mA
- ?低控制输入阈值?:支持 . V、. V、. V 和 . V 逻辑电平
- ?受控开机时间?:避免浪涌电流,典型值为 μs(TPS/)和 μs(TPSB)
- ?快速输出放电?(TPS/B):通过内部 Ω 电阻实现
- ?ESD 保护?:符合 JESD 标准,HBM ± V,CDM ± V
- ?小型封装?: 引脚 DSBGA 封装,尺寸为 . mm × . mm,高度 . mm
. 电气特性
- ?静态电流?:
- nA(典型值)at V_IN = . V
- ?关断电流?:
- nA(典型值)at V_IN = . V
- ?导通电阻?:随输入电压变化,具体值见数据手册
- ?开机时间?、?关断时间?、?上升时间?、?下降时间?:均随输入电压和负载条件变化,具体值见数据手册
. 功能描述
- ?ON/OFF 控制?:通过 ON 引脚控制开关状态,ON 引脚为高电平时开关导通,低电平时开关关断。
- ?快速输出放电?(TPS/B):当开关关断时,通过内部 Ω 电阻快速放电输出电容,防止输出悬浮。
- ?受控开机时间?:通过内部电路控制开关的开机时间,以避免浪涌电流对负载和系统的影响。
. 应用指南
- ?输入电容?:建议在 V_IN 和 GND 之间放置一个陶瓷电容,以减小开机时的电压波动。
- ?输出电容?:由于内部体二极管的存在,建议输出电容 C_L 大于输入电容 C_IN。
- ?布局建议?:尽量缩短 V_IN、V_OUT 和 GND 的走线长度,并靠近 TPS 放置输入和输出电容,以减小寄生电感的影响。
. 封装与订购信息
TPS 提供 DSBGA(YFP)封装选项,具体封装尺寸、引脚配置和订购信息可参考数据手册的封装选项附录部分。
. 注意事项
- 在使用 TPS 时,应遵守数据手册中规定的绝对最大额定值和推荐操作条件。
- 控制输入(ON 引脚)应明确连接至高电平或低电平,不应悬空。
- 在设计电路时,应考虑 TPS 的热特性,确保在最大功耗下不超过其结温限制。
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