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TPS65086 可配置的多轨PMIC,适用于2S和3S锂离子电池作的设备或非电池供电的设备数据手册

科技绿洲 ? 2025-04-26 10:55 ? 次阅读
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TPS650860 器件是一款专为多核设计的单芯片电源管理 IC 处理器FPGA 和其他片上系统 (SoC)。TPS650860 提供 5.6 V 的输入范围 至 21 V,应用范围广泛。该器件非常适合 NVDC 和非 NVDC 使用 2S、3S 或 4S 锂离子电池组的电源架构。请参阅应用程序部分 5V 输入电源。D-CAP2 和 DCS-Control 高频 稳压器使用小型电感器电容器来实现小尺寸解决方案。The D-CAP2 和 DCS-Control 拓扑具有出色的瞬态响应性能,非常适合 具有快速负载切换的处理器内核和系统内存轨。一 我^2^C 接口允许通过嵌入式控制器进行简单控制 (EC) 或通过 SoC 进行。PMIC 采用 8mm × 8mm 单排 VQFN 封装,带导热垫,具有良好的散热效果和易用性 的板路由。
*附件:tps65086.pdf

特性

  • 宽 V范围:5.6V 至 21 V
  • 三个具有 DCAP2? 拓扑结构的可变输出电压同步降压控制器
    • 使用具有可选电流限制的
      外部 FET 的可扩展输出电流
    • 我^2^C DVS 控制范围为 0.41 V 至 1.67 V(步长为 10 mV)或 1 V 至 3.575 V(步长为 25 mV)
  • 三个具有 DCS 控制拓扑结构的可变输出电压同步降压转换器
    • V范围:4.5 V 至 5.5 V
    • 高达 3 A 的输出电流
    • 我^2^C DVS 控制范围为 0.41 V 至 1.67 V(步长为 10 mV)或 0.425 V 至 3.575 V(步长为 25 mV)
  • 三个具有可调输出电压的 LDO 稳压器
    • LDOA1:我^2^C 级可选输出电压:1.35 V 至 3.3 V,输出电流高达 200 mA
    • LDOA2 和 LDOA3:I^2^C 级可选输出电压范围为 0.7 V 至 1.5 V,输出电流高达 600 mA
  • 用于 DDR 存储器终端的 VTT LDO
  • 三个负载开关,带转换速率控制
    • 高达 300 mA 的输出电流,压
      降小于标称输入电压的 1.5%
    • R DSON 系列 < 96 mΩ(输入电压为 1.8 V)
  • 5V 固定输出电压 LDO (LDO5)
    • 用于 SMPS 栅极驱动器和
      LDOA1 的电源
    • 自动切换到外部 5V 降压以实现更高的
      效率
  • 通过工厂OTP 编程实现内置灵活性和可配置性
    • 6 个 GPI 引脚可配置,以启用(CTL1 至 CTL6)
      或睡眠模式进入(CTL3 和 CTL6) 任何选定
      电源轨
    • 4 个 GPO 引脚可配置为为任何
      选定电源轨供电
    • 漏极开路中断输出引脚
  • 我^2^C 接口支持:
    • 标准模式 (100 kHz)
    • 快速模式 (400 kHz)
    • 快速模式 Plus (1 MHz)

参数
image.png

方框图
image.png

1. 产品概述

  • ?功能?:TPS65086是一款单芯片电源管理IC(PMIC),专为多核处理器、FPGA和其他系统级芯片(SoC)设计。
  • ?输入电压范围?:宽输入电压范围,从5.6V到21V。
  • ?输出能力?:三个负载开关,三个同步降压转换器,以及三个低压差线性稳压器(LDO)。

2. 主要特性

  • ?可编程多轨输出?:支持多达六个可编程输出电压轨,包括三个降压控制器和三个LDO。
  • ?动态电压调节?:支持DVS(动态电压调节),实现更高效的电源管理。
  • ?灵活的配置?:通过I2C接口进行灵活配置和控制。
  • ?热监测和保护?:具有热监测和热保护功能,确保芯片在过热时能够自动关闭。
  • ?电源良好(PGOOD)指示?:提供电源良好信号,用于指示各输出轨的电源状态。

3. 应用领域

  • 住宅网关
  • 可编程逻辑控制器(PLC
  • POS终端
  • 嵌入式PC
  • 测试和测量设备
  • 人机交互界面(HMI)

4. 功能块

  • ? 降压控制器(BUCK1-6) ?:提供高效、可编程的输出电压,支持DVS和PWM/PFM模式切换。
  • ? 低压差线性稳压器(LDOA1-A3) ?:提供稳定的输出电压,适用于对噪声敏感的电路。
  • ? 负载开关(SWA1, SWB1, SWB2) ?:用于控制外部电路的电源,具有过流保护和自动放电功能。
  • ?VTT LDO?:专为DDR内存终止设计,支持源和沉电流模式。

5. 电气特性

  • ?转换效率?:高达90%以上,具体取决于输入电压、输出电压和负载条件。
  • ?输出电压精度?:±1%至±2%,具体取决于配置和负载条件。
  • ?负载瞬态响应?:快速负载瞬态响应,确保系统稳定性。
  • ?静态电流?:低静态电流,减少系统功耗。

6. 热管理

  • ?热阻?:提供了从结到环境、结到外壳以及结到板的热阻参数。
  • ?温度保护?:具有热警告和热关断功能,防止芯片过热损坏。

7. I2C接口

  • ?通信协议?:支持标准模式(100kHz)、快速模式(400kHz)和高速模式(1MHz)。
  • ?可配置性?:通过I2C接口可以配置和控制PMIC的所有功能,包括输出电压、使能/禁用轨、电源良好映射等。

8. 布局与设计指南

  • ?输入/输出电容?:推荐使用低ESR的陶瓷电容,以减小电压纹波和提高稳定性。
  • ?电感选择?:根据应用需求选择合适的电感值,以平衡纹波电流、效率和瞬态响应。
  • ?热设计?:通过多层PCB设计和热焊盘连接,提高热耗散能力。
  • ?敏感信号布线?:控制信号和反馈信号应远离高噪声信号,以减小干扰。

9. 封装与订购信息

  • ?封装类型?:VQFN(64引脚),8mm x 8mm,具有热焊盘。
  • ?订购选项?:提供了不同数量和环保选项的订购信息。

10. 文档与支持

  • ?设计指南?:提供了详细的设计指南和应用说明,帮助用户快速上手。
  • ?社区资源?:用户可以访问TI的E2E在线社区获取更多技术支持和设计帮助。
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