MDD肖特基二极管并联与串联设计：如何提高电流承载能力？

在电源设计、DC-DC转换、逆变器等高功率应用中，单颗肖特基二极管（Schottky Diode）往往无法满足电流或电压的需求，此时就需要通过并联或串联的方式来提升器件的承载能力。但由于肖特基二极管的结构特点和温度特性，其并联与串联设计面临诸多挑战。合理的匹配与电路设计，是确保系统可靠运行的关键。
一、并联设计：提高电流承载能力
并联是提升总电流能力的常用方法，理论上，N个肖特基管并联后，总电流能力为单颗器件的N倍。但在实际应用中，由于各器件之间的正向压降（VF）存在差异，会导致电流分配不均。VF较低的器件先导通，承担大部分电流，容易造成其过热甚至损坏。
为了解决这一问题，工程师常采用以下策略：
选用同一批次、同型号的器件，确保其VF曲线一致性；
在每颗肖特基管前串联小阻值均流电阻（如0.1Ω以下），通过电阻压降实现电流均分；
合理布线与热平衡设计，确保各器件受热一致，避免某一颗因局部高温而提前老化。
此外，还可采用封装内部已完成并联匹配的多芯片肖特基管，如双肖特基封装，简化外部电路设计。
二、串联设计：提高耐压能力
当应用电压超过单颗肖特基管的耐压上限（例如100V或150V）时，需将多颗器件串联以分担总电压。但串联同样存在风险，主要是反向电压分布不均。肖特基二极管的反向漏电流大且温度依赖性强，可能导致某颗器件承担过多电压，从而提前击穿。
为此，串联设计通常加入以下辅助措施：
并联高阻均压电阻（如100kΩ~1MΩ），在反向状态下分压均衡；
并联反向吸收电容，缓解开关瞬态过压；
严格匹配漏电流特性，使用同厂同批产品，减少个体差异。
三、实际设计建议
若整流管需承受高电流，优先考虑封装更大、电流能力更强的器件，避免无谓并联复杂度。若必须并联/串联，应充分验证热、电一致性与稳定性，建议在PCB上预留均流/均压网络，并结合热仿真优化散热设计。
总结来说，MDD肖特基二极管的并联有助于扩展电流能力，串联有助于提升耐压能力，但都需在匹配性、热设计及均流/均压措施上严格控制。只有科学的器件组合与合理的外围设计，才能发挥肖特基整流在高效率功率系统中的最大优势。