0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

金升阳推出高性能第三代插件式单路驱动电源

金升阳科技 ? 来源:金升阳科技 ? 2025-04-09 17:25 ? 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

随着新能源电动汽车行业的蓬勃发展,其动力系统的关键组件:IGBT及SiC MOSFET驱动件需求量十分可观;为更好地迎合上述市场的需求,金升阳推出了高性能的第三代插件式单路驱动电源QA_(T)-R3S系列(“T”为贴片式封装)。

该产品适用于充电桩、新能源光伏、智能电网工业控制、轨道交通和变频白电等行业。

01 产品优势

1 QA-R3S系列驱动电源产品

①5000VAC高可靠隔离电压,满足加强绝缘

输入-输出隔离电压高达5000VAC,优于市场上常规产品,且满足加强绝缘设计要求,整体可靠性得到极大提升。

②满足1700V长期绝缘要求(适用1700V及以下的IGBT/SiC MOSFET)

基于IEC-61800-5-1标准要求,实现长期绝缘电压(局部放电)达到1700V,应用范围覆盖1700V及以下的IGBT/SiC MOSFET器件。

③高可靠性,耐受1000+次温度冲击

④多项性能指标提升

该系列驱动电源相较于友商类似产品,在整体性能上可做到与行业水平持平或更优。

f02dec9c-14ed-11f0-9310-92fbcf53809c.jpg

2 QA_T-R3S系列驱动电源产品

①5000VAC高可靠隔离电压,满足加强绝缘

输入-输出隔离电压高达5000VAC,优于市场上常规产品,且满足加强绝缘设计要求,整体可靠性得到极大提升。

②满足2000V/2500V长期绝缘要求,6W产品原副边间距>14mm

该系列2.4W产品基于IEC-61800-5-1标准要求,实现长期绝缘电压(局部放电)达到2.5kV,应用范围覆盖2.5kV及以下的IGBT/SiC MOSFET器件;而6W产品长期绝缘电压达到2kV,应用范围覆盖2kV及以下的IGBT/SiC MOSFET器件。

③贴片式封装方式

该系列均采用SMD封装方式,相比插件式封装,可有效节省空间、更灵活地在电路板上布局,并可提高产品生产的自动化程度和产品的防潮性能。

④高可靠性,耐受1000+次温度冲击

⑤多项性能指标提升

f03ccabe-14ed-11f0-9310-92fbcf53809c.jpg

02产品应用

该系列产品应用于医疗行业的各种医疗器械等高隔离场合。

f05f3d9c-14ed-11f0-9310-92fbcf53809c.jpg

03 典型应用

可应用于光伏逆变器电机驱动、充电桩、智能电网、工业控制、轨道交通和变频白电等多种场合。

04 产品特点

1)QA-R3S系列

隔离电压 5000VAC

满足加强绝缘

CMTI>200kV/?s

超小隔离电容 3.5pF( typ.)

局部放电 1700V

效率高达 87%

工作温度范围: -40℃ to +105℃

超小型 SIP 封装

2)QA_T-R3S系列

隔离电压 5000VAC

满足加强绝缘

CMTI>200kV/?s

超小隔离电容: 2.4W产品2.5pF(typ.);6W产品13pF(typ.)

局部放电 2.4W产品2.5kV;6W产品2kV

效率超过80%,(2.4W产品86%;6W产品81%)

潮敏等级(MSL) 1

AEC-Q100 实验中

拥有4项高新专利,方案完全自主可控

工作温度范围: -40℃ to +105℃

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 电动汽车
    +关注

    关注

    156

    文章

    12439

    浏览量

    234790
  • MOSFET
    +关注

    关注

    150

    文章

    8685

    浏览量

    221086
  • 驱动电源
    +关注

    关注

    22

    文章

    422

    浏览量

    43017
  • 金升阳
    +关注

    关注

    8

    文章

    255

    浏览量

    61457

原文标题:5000V隔离 高性能插件式单路驱动电源

文章出处:【微信号:金升阳科技,微信公众号:金升阳科技】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    重磅推出双向电源LMB系列

    重磅推出能量回馈型电源——双向电源LMB系列,可广泛应用于化成分容、电池检测、老化、电池维
    的头像 发表于 07-24 17:50 ?388次阅读
    <b class='flag-5'>金</b><b class='flag-5'>升</b><b class='flag-5'>阳</b>重磅<b class='flag-5'>推出</b>双向<b class='flag-5'>电源</b>LMB系列

    上海贝岭发布第三代高精度基准电压源

    BLR3XX系列是上海贝岭推出第三代高精度基准电压源。具有高输出精度、低功耗、低噪声以及低温度系数的特性。
    的头像 发表于 07-10 17:48 ?334次阅读
    上海贝岭发布<b class='flag-5'>第三代</b>高精度基准电压源

    5000V隔离 高性能插件驱动电源——QA-(T)-R3S系列

    一、产品介绍 随着新能源电动汽车行业的蓬勃发展,其动力系统的关键组件:IGBT及SiC MOSFET驱动件需求量十分可观;为更好地迎合上述市场的需求,
    发表于 06-16 14:30 ?989次阅读

    进迭时空第三代高性能核X200研发进展

    继X60和X100之后,进迭时空正在基于开源香山昆明湖架构研发第三代高性能处理器核X200。与进迭时空的第二高性能核X100相比,X200的单位
    的头像 发表于 06-06 16:56 ?705次阅读
    进迭时空<b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>高性能</b>核X200研发进展

    第三代半导体的优势和应用领域

    随着电子技术的快速发展,半导体材料的研究与应用不断演进。传统的硅(Si)半导体已无法满足现代电子设备对高效能和高频性能的需求,因此,第三代半导体材料应运而生。第三代半导体主要包括氮化镓(GaN
    的头像 发表于 05-22 15:04 ?887次阅读

    瑞能半导体第三代超结MOSFET技术解析(1)

    随着AI技术井喷快速发展,进一步推动算力需求,服务器电源效率需达97.5%-98%,通过降低能量损耗,来支撑高功率的GPU。为了抓住市场机遇,瑞能半导体先发制人,推出第三代超结MO
    的头像 发表于 05-22 13:58 ?257次阅读
    瑞能半导体<b class='flag-5'>第三代</b>超结MOSFET技术解析(1)

    推出升级版LM-R2S系列机壳开关电源

    在工业电源领域,始终以技术创新为驱动力,结合市场需求,对电源产品进行持续性优化。基于LM-
    的头像 发表于 05-10 10:05 ?598次阅读
    <b class='flag-5'>金</b><b class='flag-5'>升</b><b class='flag-5'>阳</b><b class='flag-5'>推出</b>升级版LM-R2S系列机壳开关<b class='flag-5'>电源</b>

    《电子发烧友电子设计周报》聚焦硬科技领域核心价值 第7期:2025.04.7--2025.04.11

    9、MediaTek发布天玑9400+移动平台 10、推出高性能第三代
    发表于 04-11 19:51

    推出120-240W AC/DC导轨电源

    针对工程应用中对产品的尺寸匹配和主动PFC功能需求的难题,在2021年上市LIFxx-10BxxR2系列功能型导轨电源的基础上,
    的头像 发表于 03-28 11:48 ?624次阅读

    第三代半导体器件封装:挑战与机遇并存

    一、引言随着科技的不断发展,功率半导体器件在电力电子系统、电动汽车、智能电网、新能源并网等领域发挥着越来越重要的作用。近年来,第三代宽禁带功率半导体器件以其独特的高温、高频、高耐压等特性,逐渐
    的头像 发表于 02-15 11:15 ?864次阅读
    <b class='flag-5'>第三代</b>半导体器件封装:挑战与机遇并存

    推出高端T系列相导轨电源

    随着市场对高性能、高可靠、智能化相导轨需求的日益增加,推出高端T系列
    的头像 发表于 02-13 17:17 ?807次阅读

    第三代半导体对防震基座需求前景?

    随着科技的发展,第三代半导体产业正处于快速扩张阶段。在全球范围内,各国都在加大对第三代半导体的投入,建设了众多新的晶圆厂和生产线。如中国,多地都有相关大型项目规划与建设,像苏州的国家第三代半导体
    的头像 发表于 12-27 16:15 ?643次阅读
    <b class='flag-5'>第三代</b>半导体对防震基座需求前景?

    第三代半导体产业高速发展

    当前,第三代半导体碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)功率器件产业高速发展。其中,新能源汽车市场的快速发展是第三代半导体技术推进的重要动力之一,新能源汽车需要高效、高密度的功率器件来实现更长的续航里程和更优的能量管理。
    的头像 发表于 12-16 14:19 ?885次阅读

    高通第三代骁龙8移动平台解锁沉浸游戏体验

    实现强劲性能,从而带来持久的沉浸游戏体验。配合全新升级的Snapdragon Elite Gaming特性,第三代骁龙8让智能手机成为高性能游戏的理想平台。
    的头像 发表于 11-08 10:54 ?3756次阅读

    第三代半导体的优势和应用

    随着科技的发展,半导体技术经历了多次变革,而第三代半导体材料的出现,正在深刻改变我们的日常生活和工业应用。
    的头像 发表于 10-30 11:24 ?2213次阅读