维信诺在ICDT 2025分享显示技术创新成果

Visionox

@ ICDT 2025

{听Ta讲报告}

随着显示技术向超高清、柔性化、低功耗方向持续演进，显示行业对创新技术的需求更加迫切。维信诺从材料、器件电路、工艺等方面开展了全方位的技术攻关，以多维度创新推动显示技术突破边界。在此次ICDT2025上，维信诺技术专家分享了其在OLED、QD-OLED、LTPO等领域的创新成果。

· 技术突破 ·

Recent Technical and Mass Production Progress on High-Performance ViP AMOLED Technology

ViP技术采用光刻像素化方案，省去了精细金属掩膜版也就是Fine Matel Mask工艺，彻底消除了相关技术瓶颈，让OLED技术的本征性能得以更彻底的释放。同时引入定制化隔离柱结构，实现子像素级别的光学设计、加强型的封装保护和辅助电路平台。

搭载ViP技术的新型OLED产品，在寿命、亮度、功耗、可靠性、低亮度画质等维度相较于Fine Matel Mask技术实现了显著的提升，在自由形态、高PPI、大尺寸等维度实现了质的突破。

Investigation of high mobility metal oxide TFT for IT AMOLED backplane technology development

全氧化物TFT背板技术因为其较好的均一性和低成本的优点，是具有潜力的高世代线中尺寸OLED背板技术，为了高刷新率和窄边框需求，我们今年发表了高迁移率氧化物TFT器件成果，成功点亮中尺寸屏体，并展现较好的亮度均一性和可靠性。

Development of High Stable Devices with Smal Chanel Length in High Mobility Oxide TFT

高迁氧化物具有IGZO的低漏电，及接近LTPS的大电流，有利于实现氧化物屏体的高PPI、窄边框和高刷新率。本实验在G6获得好的均一性和稳定性的高迁氧化物器件，器件迁移率大于30cm2/Vs，且沟道长度小至2um器件收敛。各结构的器件均收敛和稳定，满足高迁氧化物屏体驱动要求，可制备高品质氧化物屏体。

Super high PPI panel design on GOLED (glass base OLED)

VR、AR领域一直是近些年显示屏产业的热点 , 尤其是Micro OLED与Fast-LCD技术 , 但Micro OLED的成本太高 , Fast-LCD的响应时间与功耗太高 , 所以本报告的核心在于如何突破玻璃基的OLED技术 , 让VR、AR可以用到更具性价比的OLED 屏幕。

· 材料创新 ·

High Performance and High Color Purity Green OLEDs for Wide Color Gamut Requirements

随着终端对屏幕显示效果需求的不断提高，宽色域OLED显示（如Adobe和BT2020标准）在多个领域展现出广阔的应用前景。我们基于pTSF技术制备了一系列的器件，并和对应的磷光器件进行了比较。相比于磷光器件，pTSF器件表现出了相当甚至更高的电流效率，寿命上面更是有30%以上的提升效果，器件色纯度也从DCI-P3色度扩展到了Adobe以及BT2020色度，且器件开启及工作电压，以及电容等都没有产生很大影响。可以看到，pTSF技术具备窄光谱高色纯度，高效率，长寿命，低成本等优势，是未来OLED显示技术的重要迭代方向。

Optical Efficiency Improvement of QD-OLED Technology with Structural Design and Material Selection

QD-OLED以高色域、广视角及更优的感知亮度，在中尺寸、高端电视和显示领域具有广泛的应用前景，但较低的光转换效率限制了其在高分辨显示领域的应用。藉由光学仿真，针对QD-OLED技术中影响光转换效率的薄膜封装单元、QD色转换单元结构设计以及光学选择层材料等因素综合优化设计，最终实现>40%出光效率的提升以及>90% BT. 2020高色域显示，从而推动新一代QD-OLED显示性能提升及应用。

Research Progress on the Influence of Black Organic Materials on OLED Display Residual Image

COE是一种在薄膜封装上构建滤色器堆叠结构的低功耗技术，以封装上的滤色器（CF）取代传统的核心材料偏光片。近年来，该技术已广泛应用于柔性显示器、折叠手机、可穿戴设备等领域。它具有色域宽、功耗低、厚度低等优点。然而，COE结构中的BPDL涂层会导致显示面板的残余图像亮度低，这已成为亟待解决的问题。本文首先解释了残留图像现象与BPDL涂层之间的相关性，并讨论了材料与工艺之间的相互作用。其次，通过SEM、AFM、TEM等方法对材料的表面形态和界面形态进行了表征和评价，总结了残余图像问题的产生机理。

· 器件电路设计突破 ·

Multi-Region Variable Refresh of LTPO Technology

LTPO是一种结合低温多晶硅和氧化物的混合型TFT驱动技术，分区多频技术的引入使其实现了超长待机的突破。本文分析了分区多频技术面临的难点及解决方案，探讨了关键技术的实现进展，并展现了我司LTPO技术在省功耗方面的显著优势，为其在显示领域的应用带来了广阔前景。

Research on Power Saving Solutions for medium-sized AMOLED Display

随着显示技术的发展，AMOLED中尺寸面板功能日益丰富，但其功耗问题也随之显现。由于中尺寸面板广泛应用于移动设备，而设备续航普遍受到关注，加之AMOLED中尺寸面板已成为高端移动设备的标配，因此降功耗成为研究重点。从功耗消耗路径来看，降功耗可从芯片优化、阵列基板优化、发光结构优化及透光结构优化四个方向入手，其中芯片优化和阵列基板优化最为关键。此文以中尺寸面板降功耗技术为核心，重点围绕芯片优化和阵列基板优化展开深入研究，同时详细阐述了其他优化方向的相关内容，为降低AMOLED功耗提供了系统性解决方案。

Research on Topologyof Consumer Oxide Power Chip

目前在LTPS或LTPO产品应用中， ELVDD、ELVSS分别需求正压、负压。在氧化物像素电路中，ELVDD仍然需求为正压，但 ELVSS 可能需求正压或零伏或负压。当 ELVSS 为正压时，需要具备 sink 功能；当 ELVSS 为零伏或负压时，需要具备 source 功能。因此，需要一种可以产生三种不同电压形态的拓扑来满足氧化物未来的应用要求。通过分析产生三种不同电压形态的拓扑机理，并基于仿真验证其可行性，为后续开发氧化物电源芯片提供参考。

A new narrow border design with a new scanning circuit under low frequency AoD

为提高续航能力，穿戴产品一般通过采用AOD显示模式。OLED AoD技术通过精准控制像素点亮与超低刷新率，平衡了信息显示与能耗的矛盾，成为智能设备的标配功能。

为实现AoD低频驱动且不闪烁，传统设计需搭配多组行扫描电路，增加了边框。通过设计一种能同时输出高低频脉冲信号的行扫描电路，减少了GoA电路组数，达到了兼顾低频显示和缩窄边框的效果。

Gate Driver Circuit to generating Multi-Output using LTPO Technology

利用IGZO的LTPO补偿电路与LTPS补偿电路相比，GIP电路数量增加，存在功耗和Bezel Size增加的缺点，因此需要改善。

GIP电路采用LTPO CMOS电路，可以整合Logician电路，搭建可输出Pscan及Nscan的电路。

如果采用LTPO CMOS复合GIP，Layout面积可压缩75.um，功耗可还降低46%左右。

A Study on Improvement of Low Gray Mura

随着OLED材料效率的不断提升，2nit 32Gray的低灰阶Mura也越发明显，需研究和改进。

影响低灰阶Mura的主要因素是DTFT的SS离散，另外OLED器件的开口率（OLED内Cap.）也有相关性，通过离散的仿真探究了改进方案。

根据离散仿真结果，Green的开口率降低至70%时，低灰阶的ΔE5可以减少10%左右。后续新材料开发可以通过不同开口率的仿真结果进行优化和改进。

Research on Brightness Uniformity Compensation

本文提出一种2-D IRC补偿技术方法。在补偿系统整合了GIR和LIR和CUC的补偿技术，并且对面内不同区域像素的阈值电压Vth进行补偿。该补偿系统具备对广泛灰阶域、不同背景下的亮度均一性和色彩差异进行补偿。本设计方案简化面内区域区域电流模型，优化电流统计的方案，优化调试方案，使2-D IRC补偿技术具备更低的功耗。

· 工艺精进 ·

Newstructure for improving the reliability of the camera hole area in AMOLED

HIAA技术通过在AA区打孔集成摄像头，成为实现手机“伪全面屏”的主流方案。当前Ti/Al/Ti结构作为隔断柱是打孔屏的核心技术路线，但其传统电化学湿刻法因侧向刻蚀量不足，导致后续封装工艺中易产生黑斑缺陷，影响显示效果。针对这一问题，研究提出基于Mo连接的原电池侧刻技术。

该路线通过构建Mo-AL原电池体系，利用钼的析氢电势（0.67V）显著低于钛（0.83V）的特性，形成较大电势差以增强电化学反应驱动力，从而加速铝层的侧向刻蚀速率。同时，研究结合电化学动力学分析及模组可靠性测试，系统性验证工艺可行性。结果表明，引入Mo连接方案后，侧刻效率显著提升，黑斑缺陷率大幅降低。经测试，该方案制备的模组屏在显示均一性、可靠性等关键指标上均符合指标，为高屏占比屏幕的规模化生产提供了高效、稳定的技术路径。

未来，显示技术将逐渐趋向性能极致化、形态柔性化和交互智能化，维信诺通过多种技术及工艺的能效协同和设计上的联合攻关，显示屏幕在折叠、卷曲、透明等形态上或许将实现更大突破。