HMC903LP3E GaAs、pHEMT、MMIC、低噪声放大器技术手册

概述
HMC903LP3E是一款自偏置、砷化镓(GaAs)、单芯片微波集成电路(MMIC)、假晶(pHEMT)、低噪声放大器(LNA)，提供可选偏置控制来降低IDQ。采用16引脚、3 mm × 3 mm、LFCSP封装。HMC903LP3E放大器的工作频率范围为6 GHz至17 GHz，提供18.5 dB的小信号增益，1.7 dB的噪声系数（在6 GHz至16 GHz频段范围内），25 dBm的输出IP3（全频段6 GHz至17 GHz），采用3.5 V电源时功耗仅为80 mA。

14.5 dBm的P1dB输出功率使LNA可用作许多平衡、I/Q或镜像抑制混频器的本振(LO)驱动器。HMC903LP3E还具有隔直输入和输出，内部匹配至50 Ω，因而非常适合高容量微波无线电和视频卫星(VSAT)应用。
数据表：*附件：HMC903LP3E GaAs、pHEMT、MMIC、低噪声放大器技术手册.pdf

应用

• 点对点无线电
• 点对多点无线电
• 军事与太空
• 测试仪器仪表

特性

• 低噪声系数：1.7 dB（典型值，6 GHz至16 GHz时）
• 高增益：18.5 dB（典型值，6 GHz至16 GHz时）
• 针对1 dB压缩(P1dB)的输出功率：
  14.5 dBm（典型值，6 GHz至16 GHz时）
• 单电源电压：3.5 V（典型值，80 mA）
• 输出三阶交调截点(IP3)：25 dBm（典型值）
• 50 Ω匹配输入/输出
• 具有自偏置，提供可选偏置控制来降低IDQ
• 16引脚、3 mm × 3 mm LFCSP封装
  框图
  
  引脚配置描述
  
  接口示意图
  

典型性能特征

操作理论
HMC903L。P3E是砷化镓(GaAs)、单片微波集成电路(MMIC)、赝晶(pHEMT)、低噪声放大器。HMC903LP3E放大器使用两个串联增益级，放大器的基本原理图如图21所示，构成一个低噪声放大器，工作频率范围为6 GHz至17 GHz，噪声系数性能出色。

HMC903LP3E具有单端输入和输出端口，其阻抗在6 GHz至17 GHz频率范围内标称值等于50ω。因此，它可以直接插入50ω系统，无需阻抗匹配电路，这也意味着多个HMC 903 LP 3放大器可以背靠背级联，无需外部匹配电路。
输入和输出阻抗相对于温度和电源电压的变化足够稳定，不需要阻抗匹配补偿。请注意，为确保稳定工作，必须为GND引脚和封装基座exposedpad提供极低电感的接地连接。为实现HMC903LP3E的最佳性能并防止损坏器件，请勿超过绝对最大额定值。