BM3G107MUV-LB 650V GaN HEMT 功率级IC数据手册
本产品是面向工业设备市场的优质产品，是这些应用场景的理想之选。BM3G107MUV-LB为所有需要高功率密度和高效率的电子系统提供了最佳解决方案。通过将 650V 增强型氮化镓高电子迁移率晶体管（GaNHEMT）和硅驱动器集成到罗姆的原创封装中，与传统的分立解决方案相比，由印刷电路板（PCB）和引线键合引起的寄生电感显著降低。因此，其能够实现高达150V/ns 的高开关转换速率。另一方面，可调节的栅极驱动强度有助于降低电磁干扰（EMI），各种保护功能和其他附加功能优化了成本和 PCB尺寸。该集成电路旨在适配现有的主流控制器，因此它还可用于替代传统的分立功率开关，如超级结金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。
*附件：BM3G107MUV-LB 650V GaN HEMT 功率级IC数据手册.pdf
主要规格
型号 | BM3G107MUV-LBE2
封装 | VQFN046V8080
包装形态 | Taping
包装数量 | 1000
最小独立包装数量 | 1000
RoHS | Yes
特性
- Nano Cap?集成 5V 低压差线性稳压器（LDO）
- VDD 引脚电压宽工作范围
- IN 引脚电压宽工作范围
- 低 VDD 静态和工作电流
- 低传播延迟
- 高抗 dv/dt 能力
- 可调节栅极驱动强度
- 电源正常信号输出
- VDD 欠压锁定（UVLO）保护
- 热关断保护
应用
典型应用电路
引脚配置
引脚描述
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