GNE1040TB栅极耐压高达8V的150V GaN HEMT数据手册
GNE1040TB是栅极耐压高达8V的150V GaNHEMT。该产品属于EcoGaN?系列，该系列产品通过更大程度地激发低导通电阻和高速开关性能，助力应用产品更节能和小型化。GNE1040TB的电源效率在1MHz的高频段也高达96.5%以上。另外，该产品采用支持大电流且具有出色散热性的通用型DFN封装，这使得安装工序的操作更容易。采用DFN5060 封装，属于 150V 增强型氮化镓场效应晶体管（GaN FET），具有高栅极电压额定值，DFN 封装使其可靠且易用。
*附件：GNE1040TB栅极耐压高达8V的150V GaN HEMT数据手册.pdf
特点:
- E-mode
- 使用 DFN 封装，可靠且易于使用
- 高门极电压最大额定值8V
- 非常高的开关频率
主要规格
- 型号 | GNE1040TB
- 封装 | DFN5060
- 包装形态 | Taping
- 包装数量 | 2500
- 最小独立包装数量 | 2500
- RoHS | Yes
绝对最大额定值
电气特性
测量电路和波形
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
GaN
+关注
关注
19文章
2239浏览量
77436 -
HEMT
+关注
关注
2文章
76浏览量
13814 -
DFN封装
+关注
关注
1文章
42浏览量
14139
发布评论请先 登录
相关推荐
热点推荐
富士通半导体推出耐压150V的GaN功率器件产品
今天，富士通半导体宣布推出基于硅衬底的氮化镓（GaN）功率器件芯片MB51T008A，该芯片可耐压150V。用户可设计出体积更小、效率更高电源组件，可广泛应用于ICT设备、工业设备与汽车电子等领域。
发表于 07-23 15:00
?1308次阅读
ROHM开发出针对150V GaN HEMT的8V栅极耐压技术
与硅器件相比，GaN器件具有更低的导通电阻值和更优异的高速开关性能，因而在基站和数据中心等领域作为有助于降低各种开关电源的功耗并实现小型化的器件被寄予厚望。
发表于 04-08 14:08
?1246次阅读
H6203G 国产150V高耐压降压芯片 100V转3.3V 100V转5V 100V转12V
H6203G 是一款150V高耐压芯片支持100V转3.3V 100V转5V 100
发表于 01-26 14:13
SL3036H宽电压150V芯片 150V降压12V 24V/1.5A高效电源
一、核心特性：重新定义高压电源转换标准
超宽输入电压适应性
支持8V至120V连续输入，可承受150V瞬态电压冲击，直接适配工业设备、电动车电池组等高电压场景，省去传统预降压电路设计。
高效能转换
发表于 08-19 16:58
SL3038耐压150V200V降压恒压IC资料
SOP8 封装。特点? 宽输入电压范围：8V~150V? 输出电压从4.2V 到30V 可调? 支持输出恒压恒流? 支持输出12
发表于 08-11 10:03
SL3038降压恒压 宽电压150V耐压 80V降压5V2A 60V降压12V
保护等功能，提高系统可靠性。 SL3038 采用SOP8 封装。特点： 宽输入电压范围：8V~150V 输出电压从4.2V 到30V 可调
发表于 11-28 17:03
ROHM确立150V耐压GaN器件量产体制 Danfoss在中国量产电机
全球知名半导体制造商ROHM已确立150V耐压GaN HEMT*1“GNE10xxTB系列 （GNE
ROHM具有业界高性能的650V耐压GaN HEMT
(Silicon Carbide：碳化硅)和GaN等新材料在进一步提升各种电源效率方面被寄予厚望。2022年，ROHM将栅极耐压高达8V的
100A、150V耐压MOS管SVGP157R5NT参数
供应100A、150V耐压MOS管SVGP157R5NT，提供SVGP157R5NT关键参数，更多产品手册、应用料资请向士兰微mos代理骊微电子申请。>>
发表于 06-07 15:34
?1次下载
上海贝岭150V SGT MOSFET系列产品介绍
上海贝岭推出150V SGT MOSFET系列产品。贝岭150V SGT系列产品采用业界先进工艺，使得器件具有良好的栅极漏电流IGSS性能；采用深沟槽、多层外延衬底以及多重浮空环终端结构，使得器件
ROHM携手ATX量产650V耐压GaN HEMT
全球知名半导体制造商ROHM近日宣布，其采用TOLL(TO-LeadLess)封装的650V耐压GaN HEMT(高电子迁移率晶体管)“GNP2070TD-Z”已成功投入量产。这一里程
GNP1070TC-Z 650V GaN HEMT 数据手册
） ，导通电阻 70mΩ，栅极电荷 5.2nC。 *附件：GNP1070TC-Z 650V GaN HEMT 数据
GNE1008TB 150V GaN HEMT 封装DFN5060 数据手册
1MHz的高频段，电源效率也可达到96.5%以上。另外，通过采用通用性高的DFN封装，不仅散热性能出色，还非常易于安装。 *附件：GNE1008TB 150V GaN HEMT 封装D
工商网监
评论