SiC SBD-P3D06008F2 650V 碳化硅肖特基二极管数据手册
P3D06008F2 是一款 650V SiC 肖特基二极管，采用 TO - 220F - 2 封装，符合 AEC - Q101 和 RoHS标准。具备超快速开关、零反向恢复电流、适用于高频操作、正向电压正温度系数、高浪涌电流、全隔离封装便于直接散热、100% 经过 UIS 测试等特性。封装形式为TO - 220F - 2。
*附件：SiC SBD-P3D06008F2 650V 碳化硅肖特基二极管数据手册.pdf
特性
- 符合 AEC-Q101 标准
- 超快开关速度
- 零反向恢复电流
- 适用于高频操作
- 正向电压具有正温度系数
- 高浪涌电流
- 全隔离封装，便于直接散热
- 100% 经过 UIS 测试（单脉冲雪崩能量测试）
标准优势
- 提高系统效率
- 降低对散热器的需求
- 基本无开关损耗
- 符合 RoHS 标准
- 器件并联时不会出现热失控现象
应用领域
最大额定值
热特性
封装外形
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