产品介绍#ISO7720 坚固的EMC、双通道、2/0、增强型数字隔离器

ISO772x 器件是高性能双通道数字隔离器，具有符合 UL 1577 标准的 5000 VRMS（DW 和 DWV 封装）和 3000 VRMS（D 封装）隔离额定值。该系列包括具有符合 VDE、CSA、TUV 和 CQC 的增强绝缘等级的器件。ISO7721B 设备专为仅需要基本绝缘额定值的应用而设计。

ISO772x 器件以低功耗提供高电磁抗扰度和低辐射，同时隔离 CMOS 或 LVCMOS 数字 I/O。每个隔离通道都有一个逻辑输入和输出缓冲器，由双电容二氧化硅 （SiO2） 绝缘栅隔开。ISO7720 器件的两个通道方向相同，而 ISO7721 器件的两个通道方向相反。在输入功率或信号丢失的情况下，对于没有后缀 F 的设备，默认输出为高电平，对于带有后缀 F 的设备，默认输出为低电平。有关更多详细信息，请参阅 Device Functional Modes 部分。
*附件：ISO772x 高速、稳健的 EMC、增强型和基本型双通道数字隔离器数据表.pdf

这些器件与隔离式电源配合使用，有助于防止数据总线（如 RS-485、RS-232 和 CAN）上的噪声电流损坏敏感电路。通过创新的芯片设计和布局技术，ISO772x 器件的电磁兼容性得到了显著增强，以缓解系统级 ESD、EFT、浪涌和辐射合规性。ISO772x 系列器件采用 16 引脚 SOIC 宽体 （DW）、8 引脚 SOIC 宽体 （DWV） 和 8 引脚 SOIC 窄体 （D） 封装。

特性

• 100 Mbps 数据速率
• 坚固的隔离栅：

  • 1.5 kVRMS 工作电压下的预计使用寿命为 30 年

  • 高达 5000 VRMS 的隔离额定值
  • 高达 12.8 kV 的浪涌能力
  • ±100 kV/μs 典型 CMTI
• 宽电源范围：2.25 V 至 5.5 V
• 2.25V 至 5.5V 电平转换
• 默认输出高 （ISO772x） 和低 （ISO772xF） 选项
• 宽温度范围：–55°C 至 +125°C
• 低功耗，1 Mbps 时每通道典型值为 1.7 mA
• 低传播延迟：11 ns（典型值）
• 强大的电磁兼容性 （EMC）
  • 系统级 ESD、EFT 和浪涌抗扰度
  • ±8 kV IEC 61000-4-2 跨隔离栅的接触放电保护
  • 低排放
• 宽 SOIC（DW-16、DWV-8）和窄 SOIC （D-8） 封装选项
• 提供汽车版本：ISO772x-Q1
• 安全相关认证
  • DIN EN IEC 60747-17 （VDE 0884-17） 标准
  • UL 1577 组件认可计划
  • IEC 61010-1、IEC 62368-1、IEC 60601-1 和 GB 4943.1 认证

参数

方框图

1. 产品概述

• ?产品型号?：ISO772x系列，包括ISO7720、ISO7721、ISO7721F、ISO7721B等。
• ?功能?：高速双通道数字隔离器，提供增强型和基本型绝缘等级，适用于各种工业应用。
• ?主要特点?：高EMC性能、低功耗、高数据传输速率（最高100 Mbps）。

2. 主要规格

• ?数据速率?：高达100 Mbps。
• ?隔离电压?：增强型（如ISO7720）可达5000 V RMS，基本型（如ISO7721B）可达3000 V RMS。
• ?电源电压范围?：2.25 V至5.5 V。
• ?工作温度范围?：-55°C至+125°C。
• ?典型功耗?：1.7 mA/通道（1 Mbps时）。

3. 关键特性

• ?高EMC性能?：包括系统级ESD、EFT和浪涌免疫能力，符合IEC 61000-4-x标准。
• ?低传播延迟?：典型值为11 ns。
• ?宽温度范围?：适用于各种极端环境。
• ?多种封装选项?：包括DW-16、DWV-8和D-8等。

4. 应用领域

• ?工业自动化?
• ?电机控制?
• ?电源供应?
• ?太阳能逆变器?
• ?医疗设备?

5. 功能描述

• ?隔离通道?：每个隔离通道具有逻辑输入和输出缓冲器，通过双电容二氧化硅（SiO2）绝缘屏障隔离。
• ?默认输出状态?：设备在输入电源或信号丢失时，默认输出状态可配置为高电平或低电平。
• ?电源节省模式?：在轻负载或空闲条件下自动降低功耗。

6. 安全认证

• 符合DIN EN IEC 60747-17（VDE 0884-17）、UL 1577组件认可计划、IEC 61010-1、IEC 62368-1、IEC 60601-1和GB 4943.1等安全标准。

7. 封装与尺寸

• 提供多种封装选项，包括16引脚SOIC宽体（DW）、8引脚SOIC宽体（DWV）和8引脚SOIC窄体（D）等。
• 具体尺寸和封装信息请参考数据表。

8. 布局指南

• 推荐使用至少四层PCB设计，以实现低EMI性能。
• 高速信号层应紧邻地平面，以建立受控阻抗并提供低电感返回电流路径。
• 电源平面应紧邻地平面，以增加高频旁路电容。