LMG3100R017 100V 1.7mΩ GaN FET，带集成驱动器介绍

LMG3100 器件是一款具有集成驱动器的 100V 连续 120V 脉冲氮化镓 （GaN） FET。该器件提供两种 Rds（on） 和最大电流版本，LMG3100R017 为 126A/1.7mΩ，LMG3100R044为 46A/4.4mΩ。该器件由一个由高频 GaN FET 驱动器驱动的 100V GaN FET 组成。LMG3100 包含一个高侧电平转换器和自举电路，因此可以使用两个 LMG3100 器件来形成一个半桥，而无需额外的电平转换器。

GaN FET 具有零反向恢复和非常小的输入电容 CISS 和输出电容 COSS，因此为功率转换提供了显著的优势。驱动器和 GaN FET 安装在完全无键合线的封装平台上，封装寄生元件最少。LMG3100器件采用 6.5mm × 4mm × 0.89mm 无铅封装，可轻松安装在 PCB 上。
*附件：LMG3100R017 （126A）、LMG3100R044 （46A） 100V GaN FET，带集成驱动器数据表.pdf

TTL 逻辑兼容输入可以支持 3.3V 和 5V 逻辑电平，而与 VCC 电压无关。专有的自举电压箝位技术确保增强型 GaN FET 的栅极电压在安全工作范围内。

该器件通过提供更用户友好的界面，扩展了分立式 GaN FET 的优势。对于需要高频、高效率运行、小尺寸的应用，它是理想的解决方案。

特性：

• 集成 1.7mΩ （LMG3100R017） 或 4.4mΩ （LMG3100R044） GaN FET 和驱动器
• 100V 连续，120V 脉冲额定电压
• 交互式高端电平转换和自举
• 两个LMG3100可以形成一个半桥
  • 无需外部电平转换器
• 5V 外部偏置电源
• 支持 3.3V 和 5V 输入逻辑电平
• 高转换速率开关，低振铃
• 栅极驱动器能够实现高达 10MHz 的开关频率
• 内部自举电源电压箝位，以防止 GaN FET 过驱
• 电源轨欠压锁定保护
• 低功耗
• 封装经过优化，便于 PCB 布局
• 外露顶部 QFN 封装，用于顶部冷却
• 底部有大外露垫，用于底部冷却

参数：

方框图：

应用
?降压、升压和降压-升压转换器
?LLC转换器
?太阳能逆变器
?电信和服务器电源
?电机驱动
?电动工具
?D类音频放大器
*附件：GaN 可推动电子设计转型的 4 种中电压应用.pdf