背金工艺的工艺流程
本文介绍了背金工艺的工艺流程。
本文将解析一下背金工艺的具体的工艺流程及每步的工艺原理。
背金工艺的工艺流程
如上图，步骤为： tape→grinding →Si etch→ Detape→ Pre-treatment→back metal 即贴胶纸→减薄→硅刻蚀→撕胶纸→前处理→背面金属化
1，tape
在晶圆正面贴上上图所示的蓝色胶带，保护晶圆正面的图形。 2，grinding ：将硅片背面研磨，减薄到适宜厚度，采用机械抛光的方法 3，Si etch：在背面减薄之后，硅片背面会有很多缺陷，并且有硅粉残留。此时wafer内部应力很大，容易碎片，硅腐蚀可以消除其内部应力，并且使其表面粗糙度更大，金属更容易在其上淀积。
常用硝酸和氢氟酸进行刻蚀处理，方程式为： Si+HNO3+6HF=H2SiF6+H2NO2+H2O+H2 4，Pre-treatment：硅片背面的清洁度对种子层金属与Si的结合力影响很大，因此要保证足够的清洁。一般用BOE洗去硅表面的自然氧化层。
5，back metal：用电子束蒸发或磁控溅射的方法，沉积相应的金属层，以Ti/Ni/Au（Ag）为例，我曾见过的对应的金属厚度为：Ti1k?，Ni3.5k?，Au（Ag）1k?（6k?），当然厚度可以根据具体的场景而不同。 END 转载内容仅代表作者观点 不代表中国科学院半导体所立场
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原文标题：背金工艺的工艺流程
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