PI公司诚邀您报名参加电子研习社主办的线上直播。我们的技术专家将为您带来专题演讲,介绍新的氮化镓耐压基准。
随着全球脱碳投入的不断加大,预计到 2030 年,每年的投资额将达到 5万亿美元[资料来源:国际电工委员会(IEC)],功率半导体及相关系统在发电、输电和用电方面的作用日益重要,其应用领域包括风能和太阳能、各种电动交通工具、数据中心、照明和消费产品。在过去的50年中,高压、大电流电功率开关技术从晶闸管发展到 IGBT,现在又过渡到所谓的“宽禁带”材料,其中最具商业影响的是碳化硅。但除了重要性之外,碳化硅还相对容易制造,并且是大型半导体公司的一个相当明显的发展策略。因此,过去 5年来,大量的产能上线,导致全球材料供应过剩。
碳化硅的全球投资回报率可能不会提高,因为新技术正在紧随其后——氮化镓就是这样一种颠覆性技术。氮化镓不仅在性能上优于碳化硅,其制造成本也更低,因为它不需要高温处理,因此所需的设备更便宜,代工厂的电费也更低。氮化镓的一个弱点是其耐压性能较低,这使得该技术仅限于消费类产品和市电应用场合,如手机充电器、电视机和家电偏置电源。这个问题直到今天仍未解决。
Power Integrations 正在加速研发,以高压氮化镓取代碳化硅,近年来已发布了基于 750V、900V、1250V 和1700V 氮化镓的产品,同时持续致力于更高电压产品的研发。本次直播从更高的视角阐明了氮化镓与碳化硅和 IGBT 的性能对比,并提出了该技术未来的商业路线图。
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原文标题:直播预告 – 1700V : 新的氮化镓耐压基准
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直播预告 | @7/8 Innoscience SolidGaN领航氮化镓技术,焕新便携光储市场

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